[實用新型]一種±500kV直流棒形支柱瓷絕緣子

有效

• 申請號: 200820228485.X
• 申請日: 2008-12-26
• 公開（公告）號: CN201336189Y
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發明（設計）人: 王衛國;陳月娥;武秀明
• 申請（專利權）人: 中國西電電氣股份有限公司
• 主分類號: H01B17/16
• 分類號: H01B17/16
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司
• 代理人: 汪人和

技術領域

本實用新型屬于高壓絕緣子制造領域，涉及一種高壓絕緣子，尤其涉及一種±500kV直流棒形支柱瓷絕緣子。

背景技術

±500kV直流棒形支柱瓷絕緣子一般采用四節瓷絕緣子元件組裝而成。在干弧距離不變的情況下，整個產品在外觀上表現為高、大、制造合格率低。難以批量制造，難以滿足我國直流輸電快速發展的需要。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服上述現有技術的缺點，提供一種±500kV直流棒形支柱瓷絕緣子，該種瓷絕緣子的傘形設計為等徑深棱形結構，易于阻止直流污穢電弧的發展，并且在同樣的機械強度要求下，該瓷絕緣子比傳統瓷絕緣子高度低，合格率高。

本實用新型的目的是通過以下技術方案來解決的：

這種±500kV直流棒形支柱瓷絕緣子，包括均壓環、絕緣子單元件和法蘭，其特征在于：所述絕緣子由五個或五個以上絕緣子單元件通過法蘭依次連接組成，所述絕緣子單元件的傘形為等徑深棱傘結構。

上述絕緣子單元件的高度均為1700mm。

上述絕緣子均壓環截面直徑為φ120mm。

上述絕緣子單元件的傘間距與大傘伸出距離之比為1。

由于本實用新型是由五節絕緣子單元件依次連接組成，整個絕緣子總高8500mm，比由四節瓷絕緣子單元件組成的產品的高度高500mm，這樣可以大大降低制造難度。在同樣的機械強度要求下，瓷絕緣子元件高度低，合格率和產品質量都有所提高。本實用新型在保證爬電比距的條件下，將傘形設計為等徑深棱形結構，此種傘形結構易于阻止直流污穢電弧的發展。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型的等徑深棱傘結構示意圖；

圖3為均壓環6的結構尺寸圖。

圖4為±500kV直流棒形支柱絕緣子的結構尺寸圖。

其中：1為第一絕緣子單元件；2為第二絕緣子單元件；3為第三絕緣子單元件；4為第四絕緣子單元件；5為第五絕緣子單元件；6為均壓環。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型做進一步詳細描述：

參照圖1為本實用新型的結構示意圖，這種絕緣子由五個或五個以上絕緣子單元件通過法蘭依次連接組成，所述絕緣子單元件的傘形為等徑深棱傘結構(如圖2)。所述各絕緣子單元件的高度均為1700mm；所述絕緣子單元件的傘間距與大傘伸出距離之比為1。

實施例

如圖4為一種±500kV直流棒形支柱絕緣子的結構尺寸圖，該產品由五節絕緣子單元件依次組裝而成，分別為：第一絕緣子單元件1、第二絕緣子單元件2、第三絕緣子單元件3、第四絕緣子單元件4和第五絕緣子單元件5，總高8500mm，各絕緣子單元件元件高度均為1700mm。第一絕緣子單元件1的傘數為15個，平均直徑為φ265mm，為方便產品成型，上主體徑為φ170mm，下主體徑為φ200mm，彎曲應力只有27.7MPa，吊燒應力為0.078MPa；第二絕緣子單元件2的尺寸與第一絕緣子單元件1相同，但其彎曲應力只有55.4MPa，吊燒應力為0.078MPa；第三絕緣子單元件3的傘數為15個，平均直徑為φ290mm，主體徑為φ200mm，彎曲應力為51MPa，吊燒應力為0.066MPa；第四絕緣子單元件4的傘數為14個，平均直徑為φ310mm，主體徑為φ215mm，彎曲應力為54.7MPa，吊燒應力為0.067MPa；第五絕緣子單元件5的傘數為14個，平均直徑為φ325mm，主體徑為φ230mm，下部直徑φ235mm，彎曲應力為52.3MPa，吊燒應力為0.062MPa；各絕緣子單元件的彎曲破壞情況下最大應力小于65MPa，吊燒應力小于0.08MPa；產品可靠，裕度較大。在8烈度地震情況下，裕度為1.782倍，大于1.67要求。另外本實施例中的均壓環6的結構尺寸圖如圖3所示，均壓環6采用單環結構，其環截面直徑為φ120mm，無線電干擾在750kV下為279μv；電暈熄滅電壓為640.2kV。

整柱產品的平均直徑為φ291mm，小于φ300mm，爬電距離不需要進行校正。為了增加產品的可靠性，本產品爬電距離按28000mm。

本實用新型采用五節絕緣子單元件依次連接組成，整個絕緣子總高8500mm，比由四節瓷絕緣子單元件組成的產品的高度高500mm，但單個瓷絕緣子單元件比四節瓷絕緣子單元件的高度低，這樣可以大大降低制造難度。在滿足同樣的機械強度要求下，產品的合格率和質量都有所提高。本實用新型的均壓環采用單環結構，不但無線電干擾水平很低，而且電暈熄滅電壓較高。本實用新型在保證爬電比距的條件下，將傘形設計為等徑深棱形結構，此種傘形結構易于阻止直流污穢電弧的發展。