[實用新型]基于SOI的連續薄膜式微變形鏡

無效

• 申請號: 200820228469.0
• 申請日: 2008-12-25
• 公開（公告）號: CN201331623Y
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發明（設計）人: 喬大勇;苑偉政;田力;李曉瑩;燕斌
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: G02B26/08
• 分類號: G02B26/08
• 代理公司: 西北工業大學專利中心
• 代理人: 顧潮琪

1、基于SOI的連續薄膜式微變形鏡，包括SOI硅片的基底層、絕緣層和器件層，以及變形鏡的鏡面、鏡面至驅動電極的空腔、驅動電極和玻璃基底，其特征在于：所述的基底層、絕緣層和器件層為一張SOI硅片的三層結構，基底層處于結構最上方，向下依次為絕緣層和器件層；對器件層進行刻蝕后余下的體硅薄膜作為微鏡鏡面，而刻蝕的凹槽在SOI硅片與玻璃基底鍵合后形成鏡面至驅動電極的空腔，鏡面上方的基底層和絕緣層則以與器件層刻蝕凹槽相同的形狀和位置作穿透刻蝕，使鏡面露出，驅動電極分布在鏡面至驅動電極的空腔中，由濺射在玻璃基底上的金屬經過刻蝕得到。

2、根據權利要求1所述的基于SOI的連續薄膜式微變形鏡，其特征在于：所述的鏡面形狀為圓形或方形。

3、根據權利要求1所述的基于SOI的連續薄膜式微變形鏡，其特征在于：所述的電極形狀為圓形或六邊形，分布規律為正交型排列或磚型排列。

4、根據權利要求1所述的基于SOI的連續薄膜式微變形鏡，其特征在于：所述的變形鏡鏡面上濺射一層金屬作為反射層。

5、根據權利要求1所述的基于SOI的連續薄膜式微變形鏡，其特征在于：所述的SOI硅片厚度400微米，其中絕緣層厚300納米，器件層厚20微米，對器件層刻蝕15微米，鏡面厚5微米，形狀設為圓形，直徑1.2厘米，玻璃基底采用硅酸鹽玻璃Pyrex7740，驅動電極材料選用鋁，濺射厚度0.4微米，電極形狀設為圓形，直徑500微米，電極中心距1000微米，采用9×9正交形排列并去除12個單元，即在四角各去除最頂點單元以及距離該單元最近的兩個單元。