[實用新型]高深寬比的硅基深槽結構

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820222266.0
• 申請日: 2008-11-04
• 公開（公告）號: CN201408748Y
• 公開（公告）日: 2010-02-17
• 發(fā)明（設計）人: 蔡長龍;馬睿;劉歡;周順;秦文罡;高愛華;劉衛(wèi)國
• 申請（專利權）人: 西安工業(yè)大學
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L21/3065;H01L21/308
• 代理公司: 陜西電子工業(yè)專利中心
• 代理人: 程曉霞

1.一種高深寬比的硅基深槽結構，包括硅基底，在硅基底上有刻蝕的槽，其特征在于：在硅基底(2)上沉積MgO薄膜作為掩蔽層(1)，在硅基底(2)上刻蝕的槽(3)槽深達420μm，深寬比為4∶1。

2.根據(jù)權利要求1所述的高深寬比的硅基深槽結構，其特征在于：所述的掩蔽層(1)在刻蝕前沉積的MgO薄膜厚度為1.5μm，槽(3)刻蝕完畢后，硅基底(2)上掩蔽層(1)即刻蝕后的MgO薄膜厚度為100nm-250nm。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的高深寬比的硅基深槽結構，其特征在于：所述的硅深槽結構的槽(3)上部寬95μm-110μm，下部寬75μm-85μm，側壁垂直度達到88°-89°。

4根據(jù)權利要求3所述的高深寬比的硅基深槽結構，其特征在于：根據(jù)微器件的設計需要硅深槽能夠加工為通孔。