[實(shí)用新型]集成電路及芯片尺寸封裝集成電路無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200820210112.X | 申請(qǐng)日: | 2008-10-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201408761Y | 公開(公告)日: | 2010-02-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃樹良;龔大偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 技領(lǐng)半導(dǎo)體(上海)有限公司;技領(lǐng)半導(dǎo)體國際股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/02 | 分類號(hào): | H01L27/02;H01L23/50;H02M3/156;G06F17/50 |
| 代理公司: | 上海泰能知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人: | 黃志達(dá) |
| 地址: | 201203上海市浦東新區(qū)*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 芯片 尺寸 封裝 | ||
1.一種集成電路,其特征在于,它包括:
四個(gè)微凸點(diǎn),設(shè)置于所述集成電路的主表面上,其中所述四個(gè)微凸點(diǎn)排列成正方形圖案,使所述四個(gè)微凸點(diǎn)中的每一個(gè)微凸點(diǎn)設(shè)置在所述正方形的相應(yīng)角上,其中除所述四個(gè)微凸點(diǎn)之外,沒有其它微凸點(diǎn)設(shè)置在所述正方形內(nèi)所述主表面上;
降壓轉(zhuǎn)換器,具有P溝道晶體管、N溝道晶體管以及控制電路,其中所述四個(gè)微凸點(diǎn)中的第一微凸點(diǎn)連接到所述P溝道晶體管的源極,其中所述P溝道晶體管的漏極連接到所述N溝道晶體管的漏極并且連接到所述四個(gè)微凸點(diǎn)中的第二微凸點(diǎn),其中所述N溝道晶體管的源極連接到所述四個(gè)微凸點(diǎn)中的第三微凸點(diǎn),并且其中所述四個(gè)微凸點(diǎn)中的第四微凸點(diǎn)連接到所述控制電路的反饋輸入端;以及
附加微凸點(diǎn),設(shè)置于所述集成電路的所述主表面上,其中所述附加微凸點(diǎn)及所述四個(gè)微凸點(diǎn)排列于規(guī)則的網(wǎng)格上,并且其中所述降壓轉(zhuǎn)換器通過所述附加微凸點(diǎn)接收控制信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其特征在于,其中,所述集成電路是芯片尺寸封裝器件。
3.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其特征在于,進(jìn)一步還包括:
一微凸點(diǎn),當(dāng)在所述第二微凸點(diǎn)上的被調(diào)節(jié)電壓滿足預(yù)定標(biāo)準(zhǔn)時(shí)輸出指示信號(hào)。
4.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其特征在于,其中,所述四個(gè)微凸點(diǎn)及所述附加微凸點(diǎn)直接連接到印刷電路板,其中將電感固定到所述印刷電路板并耦合到所述第二微凸點(diǎn)。
5.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其特征在于,進(jìn)一步包括:
非易失性存儲(chǔ)單元,存儲(chǔ)用于配置所述降壓轉(zhuǎn)換器的配置信息。
6.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其特征在于,進(jìn)一步包括:
多位的非易失性存儲(chǔ)器,其中所述多位的非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)多位配置信息,其中所述多位配置信息決定所述附加微凸點(diǎn)之一是否耦合到所述降壓轉(zhuǎn)換器。
7.如權(quán)利要求1所述的集成電路,其特征在于,其中,所述降壓轉(zhuǎn)換器是可配置的,并且其中,在所述附加微凸點(diǎn)上接收的信號(hào)確定如何配置所述降壓轉(zhuǎn)換器。
8.一種芯片尺寸封裝集成電路,其特征在于,它包括:
可配置的降壓轉(zhuǎn)換器控制器;以及
用于以下操作的裝置:1)將電源電壓接收到所述降壓轉(zhuǎn)換器控制器上,2)接收將所述降壓轉(zhuǎn)換器控制器接地的接地電位,3)將電感耦合到所述降壓轉(zhuǎn)換器控制器,以及4)將反饋信號(hào)接收到所述降壓轉(zhuǎn)換器控制器內(nèi),其中通過所述芯片尺寸封裝集成電路的四個(gè)相鄰的微凸點(diǎn)接收所述電源電壓、接收所述接地電位、耦合所述電感以及接收所述反饋信號(hào)。
9.如權(quán)利要求11所述的芯片尺寸封裝集成電路,其特征在于,進(jìn)一步包括:
微凸點(diǎn),通過所述微凸點(diǎn)將配置信息接收到所述集成電路上,所述配置信息被提供給所述可配置的降壓轉(zhuǎn)換器控制器。
10.如權(quán)利要求18所述的芯片尺寸封裝集成電路,其特征在于,其中,所述四個(gè)相鄰微凸點(diǎn)排列成正方形圖案并占據(jù)四個(gè)角。
11.如權(quán)利要求18所述的芯片尺寸封裝集成電路,其特征在于,其中,所述可配置的降壓轉(zhuǎn)換器控制器布置成非正方形拼片,并且其中,所述裝置包括信號(hào)分布層,以用于將所述四個(gè)微凸點(diǎn)耦合到所述可配置的降壓轉(zhuǎn)換器控制器。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





