[實用新型]一種適用于配合物晶體合成實驗研究的恒溫培育裝置

無效

• 申請號: 200820209972.1
• 申請日: 2008-10-21
• 公開（公告）號: CN201279465Y
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發明（設計）人: 李榕生;孔祖萍;姜晶晶;楊欣;宋岳;劉曉利
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: B01L7/02
• 分類號: B01L7/02;C30B7/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種適用于配合物晶體合成實驗研究的恒溫培育裝置，屬于C30B單晶生長領域。

背景技術

有許多的國內外科研機構開展配合物小晶體的合成探索及其結構分析研究工作，這樣的研究具有雙重意義，一方面，有助于進一步深入地探求相關科學規律，另一方面，某些具有潛在應用前景的新型晶體也有望在這一過程中得以揭示。

這類研究中，首先要做的事情，是探查新晶體的合成條件，其中，室溫或近室溫條件下的溶劑揮發法因其溫和的方式而通常被優先關注。

由于存在諸多的可能影響配合物小晶體生長速率及晶體品質的條件因素，因而，篩查性的合成實驗通常是必須的，這一類篩查性實驗一般選擇同時使用許多的一百毫升燒杯展開平行的合成探查，優先選擇這種尺寸的燒杯是由這類實驗的劑量以及與這種劑量相適應的溶劑揮發合成手段決定的。

上述實驗通常只涉及數毫升至數十毫升濾清反應液這樣一種較小的反應劑量。大體的合成步驟是，先將按設計配制的各濾清反應液分別置于不同的燒杯里，在各燒杯的杯口處包覆開有一些微小空洞的聚乙烯膜，然后，將各燒杯靜置于室內通風處，各燒杯內的溶劑經由各聚乙烯覆膜上的微小空洞緩慢揮發，逐漸反應、濃縮并進而形成相關配合物小晶體。

本案設計人注意到，由于存在晝夜溫差，夜間低溫時緩慢增長的小晶體，在白天溫度稍高時會重新部分溶解，這樣的一種夜間生長而日間消融的生長狀態，給雜質的介入提供了較多的機會，并且，晶體的生長連續性也受到影響，在這種條件下長成的晶體，其內部容易包裹有較多的雜質，晶體質量可能因此嚴重不足。

實驗中存在的上述缺陷導致合成探查實驗效率低下，合成探查實驗時間因此拖長，試劑消耗量相應地額外增加，而且，由于晶體品質的不足，晶體衍射數據的解析處理也會比較困難，其后提交給專業數據庫的結構數據也可能因此有了某種不完美的因素。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是，針對上述的配合物小晶體批量篩查合成實驗中存在的晝夜溫差干擾問題，研發一種適用于配合物晶體合成實驗研究的恒溫培育裝置。

本實用新型通過如下方案解決所述技術問題，該方案提供一種適用于配合物晶體合成實驗研究的恒溫培育裝置，包括一個盤狀水槽，在盤狀水槽的側壁上裝設有進水接口以及出水接口，進水接口以及出水接口與盤狀水槽內部聯通，以及，帶有許多孔洞的蓋板，該蓋板是活動的蓋板，本案要點是，所述孔洞是有底的凹形坑洞，凹形坑洞的內腔形狀呈圓柱狀，凹形坑洞的深度尺寸介于5.0厘米到6.0厘米之間，凹形坑洞的圓柱形內腔直徑介于5.3厘米到5.5厘米之間，盤狀水槽的每一側壁的橫斷面形狀呈曲柄形狀，盤狀水槽的邊沿包繞在蓋板的邊沿之外。所述凹形坑洞的尺寸是與一百毫升燒杯的尺寸相適應的尺寸，該尺寸適合于寬緊適中地將常見尺寸的一百毫升燒杯的大部置于其中，凹形坑洞的所述深度尺寸范圍以及所述圓柱形內腔直徑尺寸范圍的相應上限值以及相應下限值以及相應中間值都是可取的適當的尺寸值。方案中的許多一詞，意指較多的數量，所述許多例如十個、二十個、三十個、四十個、五十個、六十個，等等。本案裝置當然還可以包括一些附件，所述附件例如超級恒溫槽，所述盤狀水槽的側壁上裝設的進水接口以及出水接口可以分別與超級恒溫槽的進出水接口聯通，所述超級恒溫槽的技術含義是公知的，所述附件也可以進一步包括必要時裝設在恒溫水流通管路上的過濾器，以及，必要時裝設在恒溫水流通管路上的用于調節流量的閥門，等等。

本實用新型的優點是，該裝置克服了所述晝夜溫差干擾問題，提供了一種溫度條件相當穩定的晶體生長條件，有助于晶體的完美生長，有助于高效率地展開合成探查實驗，有助于節約試劑，有助于減少實驗時間消耗，還有助于降低晶體衍射數據的解析處理難度。

附圖說明

圖1是本案實施例示意圖，該圖示意地描述其主要工作區的垂向斷面結構，圖中并且示意地用虛線添加了若干個置于凹形坑洞內的燒杯。

圖2是本案實施例的俯視示意圖，該圖主要示意地描述含有許多所述凹形坑洞的蓋板構造。

圖中，1是蓋板，2是凹形坑洞，3是橫斷面形狀呈曲柄形狀的所述側壁，4、6分別是在盤狀水槽不同側壁位置上裝設的一個進水接口和一個出水接口，該進水接口和出水接口是等效的并且可以互換使用的接口，5是盤狀水槽。

具體實施方式