[實(shí)用新型]靜電卡盤(pán)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200820208758.4 | 申請(qǐng)日: | 2008-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN201383496Y | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-01-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅伯特·賴安;倪圖強(qiáng) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/687 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 李 麗 |
| 地址: | 201201上海市浦東新*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靜電 卡盤(pán) | ||
1.一種靜電卡盤(pán),包括多個(gè)用于承載晶圓的凸臺(tái)和控溫氣體入口,其特征在于:所述凸臺(tái)承載面的形狀為多邊形,所述控溫氣體入口與凸臺(tái)之間形成的控溫氣體通道連通。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電卡盤(pán),其特征在于:所述的多邊形為正多邊形。
3.如權(quán)利要求1所述的靜電卡盤(pán),其特征在于:所述凸臺(tái)的間距相同。
4.如權(quán)利要求1所述的靜電卡盤(pán),其特征在于:所述的多邊形為正六邊形或正八邊形。
5.如權(quán)利要求1所述的靜電卡盤(pán),其特征在于:所述凸臺(tái)承載面的形狀包括兩種以上的正多邊形。
6.如權(quán)利要求1所述的靜電卡盤(pán),其特征在于:所述凸臺(tái)在軸向上的高度為10μm至200μm。
7.如權(quán)利要求1所述的靜電卡盤(pán),其特征在于:還包括密封圈,所述密封圈部分或全部包圍所述凸臺(tái)。
8.如權(quán)利要求1所述的靜電卡盤(pán),其特征在于:在所述靜電卡盤(pán)設(shè)有凸臺(tái)的表面上還設(shè)有控溫氣體分布槽,所述控溫氣體分布槽與所述控溫氣體入口連通。
9.如權(quán)利要求8所述的靜電卡盤(pán),其特征在于:所述控溫氣體分布槽的寬度為0.4mm至2mm,控溫氣體分布槽的深度為0.1mm至0.5mm。
10.一種靜電卡盤(pán),包括多個(gè)用于承載晶圓的凸臺(tái)和控溫氣體入口,其特征在于:所述凸臺(tái)承載面的邊界與相鄰?fù)古_(tái)的邊界相匹配且凸臺(tái)之間形成寬度相同的通道,使所述控溫氣體入口與凸臺(tái)之間形成的控溫氣體通道連通。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





