[實用新型]接口線具有隔離和過壓保護電路的開發編程工具

無效

• 申請號: 200820207872.5
• 申請日: 2008-08-14
• 公開（公告）號: CN201315061Y
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發明（設計）人: 彭增金
• 申請（專利權）人: 彭增金
• 主分類號: G06F13/40
• 分類號: G06F13/40
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.接口線具有隔離和過壓保護電路的開發編程工具，其特征是：其對目標系統的接口線上串聯有一對N溝道增強型MOSFET，該兩個N-MOSFET的漏極接在一起，而源極分別接向所述開發編程工具的內部電路和目標系統的電路，或兩個N-MOSFET的源極接在一起，而漏極分別接向所述開發編程工具的內部電路和目標系統的電路，兩個N-MOSFET的門極接在所述開發編程工具內部的同一個控制電壓。

2.根據權利要求1所述的開發編程工具，其特征是：其對目標系統的接口線上還串聯有一對P溝道增強型MOSFET，該兩個P-MOSFET的漏極接在一起，而源極分別接向所述開發編程工具的內部電路和目標系統的電路，或兩個P-MOSFET的源極接在一起，而漏極分別接向所述開發編程工具的內部電路和目標系統的電路，兩個P-MOSFET的門極接在所述開發編程工具內部的另一個控制電壓。

3.根據權利要求1所述的開發編程工具，其特征是：其所述的N-MOSFET的門極有電阻連接到參考地。

4.根據權利要求1所述的開發編程工具，其特征是：其所述的N-MOSFET的開啟狀態門極電壓設定為比所述開發編程工具內部接口部分電路電源高N-MOSFET的開啟電壓。

5.根據權利要求2所述的開發編程工具，其特征是：其所述的P-MOSFET的門極有電阻連接到參考地。