[實用新型]采用后制絨工藝的太陽能電池

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820207825.0
• 申請日: 2008-07-31
• 公開（公告）號: CN201233898Y
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪釘崇;夏慶峰
• 申請（專利權(quán)）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務(wù)所
• 代理人: 王凌霄

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及晶體硅太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種采用后制絨工藝的太陽能電池。

背景技術(shù)

晶體硅太陽能電池占據(jù)了光伏市場的90％以上的份額，如何進一步提高效率，降低成本是國內(nèi)外晶體硅太陽能電池研究領(lǐng)域的基本目標(biāo)。

在硅片上實現(xiàn)選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)是p-n結(jié)晶體硅太陽能電池實現(xiàn)高效的方法之一。所謂選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)有兩個特征：1)在電極柵線下及其附近形成高摻雜深擴散區(qū)；2)在其他區(qū)域形成低摻雜淺擴散區(qū)。實現(xiàn)選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵便是如何形成上面所說的兩個區(qū)域。實現(xiàn)選擇性發(fā)射區(qū)的方法有很多種，最常見的有光刻、激光開槽。但這些方法對太陽能電池制造而言過于復(fù)雜，只能應(yīng)用于實驗室或小規(guī)模的生產(chǎn)中，難于在常規(guī)電池的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中推廣。近年來，也出現(xiàn)了用絲網(wǎng)印刷磷漿實現(xiàn)選擇性發(fā)射區(qū)的方法，但由于絲網(wǎng)印刷帶來的污染等問題，該方法也沒有得到廣泛應(yīng)用。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的是要提供一種采用后制絨工藝的太陽能電池，太陽能電池具有更為理想的選擇性擴散發(fā)射極，光電轉(zhuǎn)換效率高。

本實用新型所采用的技術(shù)方案為：一種采用后制絨工藝的太陽能電池，包括硅片，硅片表面下通過擴散工藝形成的高摻雜區(qū)和低摻雜區(qū)，將通過擴散工藝形成的高摻雜區(qū)和低摻雜區(qū)的上層作為制絨層，在高摻雜區(qū)和低摻雜區(qū)內(nèi)的制絨層制絨以形成絨層。

本實用新型的有益效果是：硅片在進行選擇擴散后，形成高摻雜區(qū)和低摻雜區(qū)，在理想狀態(tài)，高摻雜區(qū)的截面形狀應(yīng)該是上下寬度一致的，但是在實際生產(chǎn)中，高摻雜區(qū)的截面上寬下窄呈現(xiàn)漏斗狀，為此在擴散完成后，進行制絨，在制絨過程中，會使高摻雜區(qū)一薄層被去除，相應(yīng)的高摻雜區(qū)的厚度降低，高摻雜區(qū)的截面此時更接近于上下寬度一致的理性狀態(tài)。最終生產(chǎn)出來的太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率更高。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中，1.硅片，2.高摻雜區(qū)，3.低摻雜區(qū)，4.制絨層。

具體實施方式

如圖1所示的一種采用后制絨工藝的太陽能電池，包括硅片1，硅片1表面下通過擴散工藝形成的高摻雜區(qū)2和低摻雜區(qū)3，將通過擴散工藝形成的高摻雜區(qū)2和低摻雜區(qū)3的上層作為制絨層4，在高摻雜區(qū)2和低摻雜區(qū)3內(nèi)的制絨層4制絨以形成絨層。在高摻雜區(qū)2上的硅片1表面設(shè)置正面電極，在硅片1后為背面電極、鋁背場。

當(dāng)進行兩次擴散以形成選擇性發(fā)射極的工藝中，在第一次擴散工藝后會在硅片1表面下形成上寬下窄的高摻雜區(qū)2，這次擴散為磷漿擴散，然后進行去磷硅玻璃的工藝，為了使高摻雜區(qū)2的截面形狀是上下寬度基本一致，在這次擴散后進行制絨，使在制絨過程中，會使硅片1表面一薄層被去除成為絨層，制得的硅片1還要進擴散爐再進行一次擴散，用以在硅片1上形成低摻雜區(qū)3，然后再去磷硅玻璃。自此硅片1完成選擇性擴散，完成選擇性擴散后硅片1進行下面的加工，依次是刻邊，鍍氮化硅、減反射薄膜，印刷背面電極，印刷鋁背場，印刷正面電極，燒結(jié)最終得到太陽能電池。