[實用新型]一種耗盡型pHEMT芯片的ESD保護電路

無效

• 申請號: 200820204814.7
• 申請日: 2008-12-08
• 公開（公告）號: CN201332098Y
• 公開（公告）日: 2009-10-21
• 發明（設計）人: 楊亞玲
• 申請（專利權）人: 惠州市正源微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/60;H02H9/04
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司
• 代理人: 羅曉林

1、一種耗盡型pHEMT芯片的ESD保護電路，芯片焊盤與外接ESD電路電連接，其特征在于，芯片焊盤與外接ESD電路之間還包括有一個耗盡型pHEMT(T₁)、電阻(R₁)和電阻(R₂₁)，(T₁)的柵極(G₁)通過電阻(R₁)接地，漏極(D₁)接芯片焊盤(N₁)，源極(S₁)接芯片焊盤(N₂)后連接至外接ESD電路，漏極(D₁)和源極(S₁)之間通過電阻(R₂₁)相連，(C₁)為柵極(G₁)和漏極(D₁)之間的寄生電容。

2、根據權利要求1所述的一種耗盡型pHEMT芯片的ESD保護電路，其特征在于：芯片焊盤與外接ESD保護電路之間連接的耗盡型pHEMT的數目可以為一個或一個以上。