[實用新型]新型半導體制冷裝置

無效

• 申請號: 200820200122.5
• 申請日: 2008-09-02
• 公開（公告）號: CN201285191Y
• 公開（公告）日: 2009-08-05
• 發明（設計）人: 胡振輝
• 申請（專利權）人: 胡振輝
• 主分類號: F25B21/02
• 分類號: F25B21/02
• 代理公司: 中山市科創專利代理有限公司
• 代理人: 尹文濤

1、新型半導體制冷裝置，包括有熱電堆(1)、散熱件(2)和導冷件(3)，其特征在于所述熱電堆(1)上的上導流片(11)外側與所述散熱件(2)貼合，上導流片(11)外側傳導面上設有至少一層類金剛石膜(4)；熱電堆(1)上的下導流片(12)外側與所述導冷件(3)貼合，下導流片(12)外側傳導面也設有至少一層類金剛石膜(4)。

2、根據權利要求1所述的新型半導體制冷裝置，其特征在于所述上導流片(11)和下導流片(12)均為銅片。

3、根據權利要求1或2所述的新型半導體制冷裝置，其特征在于所述類金剛石膜(4)電鍍在所述上導流片(11)和下導流片(12)外側面。

4、根據權利要求1所述的新型半導體制冷裝置，其特征在于所述散熱件(2)相對所述上導流片(11)的一側設有規則排列的多個散熱片(210)；所述導冷件(3)相對所述下導流片(12)一側設有用于增大與空氣接觸面的多個傳導片(310)。