[實(shí)用新型]一種蔭罩式等離子體顯示板無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200820185389.1 | 申請(qǐng)日: | 2008-09-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201259874Y | 公開(公告)日: | 2009-06-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李青;湯勇明;鄭姚生;朱笛;王保平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東南大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01J17/49 | 分類號(hào): | H01J17/49;H01J17/04 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 陸志斌 |
| 地址: | 21009*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 蔭罩式 等離子體 顯示 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種等離子體顯示板,尤其涉及一種蔭罩式等離子體顯示板,具體地說(shuō)是一種后板表面制備反射膜層的蔭罩式等離子體顯示板。
背景技術(shù)
目前采用的蔭罩式等離子體顯示板主要包括前基板、后基板和蔭罩。前基板從玻璃基板起,分別是掃描電極、介質(zhì)層以及在介質(zhì)層表面形成的保護(hù)層;后基板從玻璃基板起,分別是與掃描電極垂直的尋址電極,介質(zhì)層以及在介質(zhì)層上形成的保護(hù)層;夾在前、后基板中間的蔭罩是由導(dǎo)電材料(例如鐵或其合金)加工而成的包含網(wǎng)孔陣尋址的金屬薄網(wǎng)板。將上述前基板、蔭罩和后基板組裝封接后充入預(yù)定的工作氣體,譬如各種惰性氣體,即形成了蔭罩式等離子體顯示板。目前蔭罩式等離子體顯示板采用對(duì)向放電的工作原理,其工作原理如下:首先,在尋址電極組和掃描電極之間加一高壓窄脈沖或斜坡脈沖擦除信號(hào),擦除上次放電積累的壁電荷;然后在掃描電極上加一高脈沖尋址電壓選中該行,同時(shí)在尋址電極上施加該行的數(shù)據(jù)脈沖,該數(shù)據(jù)脈沖電壓幅度與掃描電壓之差高于掃描電極與尋址電極之間的著火電壓,控制觸發(fā)放電,從而在該行形成與所需顯示信息對(duì)應(yīng)的壁電荷分布;在逐行完成整屏圖象初始放電之后,在掃描電極組和尋址電極之間施加維持放電脈沖,以顯示該幀圖象。如此循環(huán)即可逐幀顯示圖象。對(duì)彩色蔭罩式等離子體顯示板而言,蔭罩的面孔為大孔,與前基板面對(duì)放置,內(nèi)壁涂敷三基色熒光粉,蔭罩的底孔為小孔,小孔間由通槽聯(lián)通,底孔與后基板面對(duì)放置,每一放電單元中氣體放電產(chǎn)生的真空紫外光,激發(fā)不同熒光材料發(fā)出相應(yīng)的三基色光。然而,上述蔭罩式等離子體顯示板中存在如下問題:由于采用對(duì)向型放電結(jié)構(gòu),放電空間集中在上下基板的電極之間,而熒光粉只涂敷在蔭罩大孔的內(nèi)壁表面,使在底孔放電空間產(chǎn)生的深紫外光損失很大,無(wú)法激發(fā)大孔內(nèi)壁的熒光粉發(fā)光,使蔭罩式等離子體顯示板的亮度較低,發(fā)光效率較低。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有的蔭罩式等離子體顯示板采用對(duì)向型放電產(chǎn)生的問題,實(shí)用新型一種具有改善亮度和發(fā)光效率的蔭罩式等離子體顯示板,在后基板的表面制備一層反射膜層。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:
一種蔭罩式等離子體顯示板,包括前基板、后基板、蔭罩,其中蔭罩封裝在前基板、后基板之間,所述的前基板包括前襯底玻璃基板、掃描電極、前基板介質(zhì)層、前基板保護(hù)膜,掃描電極平行設(shè)置在前襯底玻璃基板上,前基板介質(zhì)層覆蓋在掃描電極上,前基板保護(hù)膜覆蓋在前基板介質(zhì)層上;所述的后基板包括后襯底玻璃基板、尋址電極后基板介質(zhì)層和后基板保護(hù)膜,尋址電極平行設(shè)置在后襯底玻璃基板上,后基板介質(zhì)層覆蓋在尋址電極上,后基板保護(hù)膜則覆蓋在后基板介質(zhì)層上;尋址電極與掃描電極成空間垂直正交;蔭罩為包含面孔陣列和底孔陣列的導(dǎo)電板,面孔與底孔屬于同一個(gè)放電單元的上下表面,前基板相對(duì)的面孔的面積是其與后基板相對(duì)的底孔面積的10~20倍,每一個(gè)面孔的上開口寬度為底孔下開口寬度的2~4倍;掃描電極與蔭罩上的面孔的上開口面對(duì)放置并置于中間位置,尋址電極與蔭罩上的底孔的下開口相對(duì)放置并置于中間位置,所述蔭罩、掃描電極、尋址電極組成介質(zhì)阻擋型交流放電型的基本單元;在面孔內(nèi)壁涂覆熒光粉層,使放電的基本單元中面孔對(duì)應(yīng)的空間是可見光發(fā)光區(qū)域,一部分可見光直接或射到內(nèi)壁反射后射出前基板,為人眼所接收,另一部分直接或經(jīng)過(guò)內(nèi)壁反射到后基板出射,不能為人眼所接收,其特征在于在后基板保護(hù)膜表面制備一層漫反射膜,對(duì)深紫外光吸收較小,將面孔空間中通過(guò)底孔射到后基板表面的可見光反射到面孔中,部分射出前基板,為人眼所接收。
比較好的是,本實(shí)用新型的漫反射膜通過(guò)連續(xù)蒸鍍成膜的方法,厚度為50nm~1um。
比較好的是,本實(shí)用新型的漫反射膜的材料為納米SiO2-X粉末或SiO2薄膜。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有如下的有益效果:
1、本實(shí)用新型的等離子體顯示板在后基板內(nèi)表面制備一層漫反射層,將出射到后基板的可見光反射到前基板,并部分出射,改善了現(xiàn)有對(duì)向型放電蔭罩式等離子體顯示板的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。
2、本實(shí)用新型制備反射膜的方法工藝簡(jiǎn)單,不改變現(xiàn)有蔭罩式等離子體顯示板工藝流程。
附圖說(shuō)明
圖1是為本實(shí)用新型的顯示板的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型的漫反射膜作用示意圖。
圖3本實(shí)用新型的納米粉末漫反射膜的制備步驟。
圖4本實(shí)用新型的顯示板的封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東南大學(xué),未經(jīng)東南大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200820185389.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





