[實用新型]多晶硅破碎臺無效
| 申請號: | 200820182364.6 | 申請日: | 2008-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN201373478Y | 公開(公告)日: | 2009-12-30 |
| 發明(設計)人: | 劉文;王榮躍 | 申請(專利權)人: | 江蘇中能硅業科技發展有限公司 |
| 主分類號: | F24C15/20 | 分類號: | F24C15/20;F24C7/04 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 范曉斌;王 剛 |
| 地址: | 221004江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多晶 破碎 | ||
1.一種多晶硅破碎臺,包括用于承載待破碎的多晶硅的破碎臺表面,其特征在于,所述破碎臺表面由高純硅層的表面形成。
2.根據權利要求1所述的多晶硅破碎臺,其特征在于,所述高純硅層包括彼此緊密排列的多個高純硅芯,所述多個高純硅芯的對應多個上表面一起形成所述破碎臺表面。
3.根據權利要求2所述的多晶硅破碎臺,其特征在于,所述多個高純硅芯的各個上表面處于同一平面內。
4.根據權利要求1或2所述的多晶硅破碎臺,其特征在于,還包括圍堰,所述圍堰圍繞所述高純硅層設置。
5.根據權利要求4所述的多晶硅破碎臺,其特征在于,所述圍堰的高度超過所述破碎臺表面。
6.根據權利要求5所述的多晶硅破碎臺,其特征在于,所述圍堰包括開口部,以便移除破碎后的多晶硅。
7.根據權利要求4所述的多晶硅破碎臺,其特征在于,還包括支撐臺,所述高純硅層設置在所述支撐臺上。
8.根據權利要求7所述的多晶硅破碎臺,其特征在于,所述圍堰與所述支撐臺形成一體。
9.根據權利要求7所述的多晶硅破碎臺,其特征在于,還包括支架,所述支撐臺設置在所述支架上。
11.根據權利要求1或2所述的任一多晶硅破碎臺,其特征在于:所述高純硅層的純度不小于99.99%。
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