[實用新型]柵控整流器

無效

• 申請號: 200820176906.9
• 申請日: 2008-11-11
• 公開（公告）號: CN201365205Y
• 公開（公告）日: 2009-12-16
• 發明（設計）人: 王志良;余金生;翁博泰
• 申請（專利權）人: 洋鑫科技股份有限公司;王志良
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217;H02M1/08;H02M7/219;H02M7/23
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 任永武

1.一種柵控整流器，其特征在于，包含：

一柵控晶體管具有一柵極、一高壓端與一低壓端；

一固定電壓源，其被參考至該柵控晶體管的該低壓端；

一線電壓極性檢測電路，其包含一限流電阻及一光二極管連接該限流電阻，其中該光二極管檢測一線電壓的極性；及

一驅動電路，其受控于該光二極管的檢測以決定該柵控晶體管的該高壓端與該低壓端的通道是否形成。

2.根據權利要求1所述的柵控整流器，其特征在于，該驅動電路包含：

一光敏晶體管，具有一第一端與一第二端，該第一端連接該固定電壓源并對應該光二極管；及

一第一電阻連接于該光敏晶體管的該第二端與該低壓端之間。

3.根據權利要求2所述的柵控整流器，其特征在于，該驅動電路還包含一圖騰柱電路，該圖騰柱電路包含：

一NPN雙極晶體管，具有一基極、一發射極與一集電極；及

一PNP雙極晶體管，具有一基極、一發射極與一集電極，其中：

該NPN雙極晶體管的該基極與該PNP雙極晶體管的該基極相連接并連接至該光敏晶體管的第二端與該第一電阻之間，該兩發射極相連接并連接至該柵極，該NPN雙極晶體管的該集電極連接至該光敏晶體管的該第一端，該PNP雙極晶體管的該集電極連接至該低壓端。

4.根據權利要求2所述的柵控整流器，其特征在于，該驅動電路還包含：

一臨界開關具有一參考端、一正極與一負極，該參考端連接至該光敏晶體管的該第二端與該第一電阻之間，該正極連接至該柵控晶體管的該低壓端；

一PNP雙極晶體管具有一基極、一發射極與一集電極，該集電極連接該柵極；

一第二電阻跨接于該PNP雙極晶體管的該基極與該臨界開關的該負極；

一第三電阻跨接于該PNP雙極晶體管的該發射極與該PNP雙極晶體管的該基極之間；及

一第四電阻跨接于該柵控晶體管的該柵極與該低壓端之間。

5.根據權利要求2所述的柵控整流器，其特征在于，該驅動電路還包含：

一PNP雙極晶體管具有一基極、一發射極與一集電極，該集電極連接該柵極；

一NPN雙極晶體管具有一基極、一發射極與一集電極，該發射極連接至該低壓端；

一第二電阻跨接于該PNP雙極晶體管的該基極與該NPN雙極晶體管的該集電極之間；

一第三電阻跨接于該PNP雙極晶體管的該發射極與該PNP雙極晶體管的該基極之間；

一第四電阻跨接于該柵極與該低壓端之間；及

一第五電阻跨接于該光敏晶體管的該第二端與該NPN雙極晶體管的該基極之間。

6.根據權利要求1所述的柵控整流器，其特征在于，還包含一電阻負載連接至該柵控晶體管，且該柵控晶體管為一N通道金屬氧化物半導體場效應晶體管、P通道金屬氧化物半導體場效應晶體管、單向金屬氧化物半導體場效應晶體管、雙向金屬氧化物半導體場效應晶體管或絕緣柵雙極晶體管。

7.根據權利要求1所述的柵控整流器，其特征在于，還包含一電容負載連接至該柵控晶體管且該柵控晶體管為一單向金屬氧化物半導體場效應晶體管。

8.根據權利要求1所述的柵控整流器，其特征在于，包含一集成電路。

9.一種柵控整流器，其特征在于，包含：

一柵控晶體管，其包含一柵極、一參考端與一輸出端；

一定電壓輸入，其參考至該參考端；及

一線電壓輸入，其中該線電壓輸入的極性控制是否以該定電壓輸入產生一驅動電流導通該柵控晶體管。

10.根據權利要求9所述的柵控整流器，其特征在于，包含一集成電路。