[實用新型]電容濾波器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820175867.0 | 申請日: | 2008-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN201282449Y | 公開(公告)日: | 2009-07-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 梁偉國 | 申請(專利權(quán))人: | 梁偉國 |
| 主分類號: | H03H7/01 | 分類號: | H03H7/01 |
| 代理公司: | 佛山市科順專利事務(wù)所 | 代理人: | 周尤敏 |
| 地址: | 528300廣東省佛山市順*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電容 濾波器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種家電產(chǎn)品濾波用的電容濾波器。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的濾波器一般采用電感加x和y電容或電感加Y電容進行濾波,這種方式的濾波器由于所使用的負載電感不同而需要調(diào)整x或y電容值,所以通用性不強,因此申請人對現(xiàn)有電容濾波器進行了改進,通過薄膜型的L端導(dǎo)電層、N端導(dǎo)電層繞在骨架上形成電感和電容,降低了電路安裝的復(fù)雜性,提高了產(chǎn)品的使用壽命和通用性,由于在使用時,電容值有時會太高達不到安規(guī)的放電要求。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本實用新型的目的在于提供一種通用性強,能夠用較少的電子元件就可以實現(xiàn)濾波功能且?guī)Х烹姽δ艿碾娙轂V波器。
本實用新型的目的可通過以下三個技術(shù)方案實現(xiàn):
第一技術(shù)方案:一種電容濾波器,包括骨架、兩塊薄膜型導(dǎo)體層和至少三塊薄膜型絕緣層,兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間通過薄膜型絕緣層隔開使兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間不導(dǎo)通,其中輸入端與輸出端串聯(lián)在火線線路中的薄膜型導(dǎo)體層為L端導(dǎo)體層,輸入端與輸出端串聯(lián)在零線線路中的薄膜型導(dǎo)體層為N端導(dǎo)體層,L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層之間串聯(lián)放電組件,L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層之間還對應(yīng)設(shè)有一塊一端用于接地的薄膜型接地導(dǎo)體層,L端導(dǎo)體層與薄膜型接地導(dǎo)體層之間通過薄膜型絕緣層隔開不導(dǎo)通形成電容,N端導(dǎo)體層與薄膜型接地導(dǎo)體層之間也通過薄膜型絕緣層隔開不導(dǎo)通形成電容,上述薄膜型導(dǎo)體層、薄膜型絕緣層、薄膜型接地導(dǎo)體層共同卷成一個薄膜型繞組,薄膜型繞組穿套在骨架上。
上述技術(shù)方案還可作下述進一步完善:
所述薄膜型繞組和骨架通過絕緣體包裹,兩塊薄膜型導(dǎo)體層的輸入端和輸出端伸出絕緣體,薄膜型接地導(dǎo)體層的接地端伸出絕緣體,或者薄膜型接地導(dǎo)體層的接地端與骨架(當骨架為導(dǎo)體時)連接、骨架設(shè)有伸出絕緣體的接地端。
所述薄膜型導(dǎo)體層、薄膜型絕緣層以及薄膜型接地導(dǎo)體層先纏繞在空心的套筒上形成薄膜型繞組,套筒再穿套在骨架上。
所述薄膜型繞組、套筒和骨架通過絕緣體包裹,兩塊薄膜型導(dǎo)體層的輸入端和輸出端伸出絕緣體,薄膜型接地導(dǎo)體層的接地端伸出絕緣體,或者薄膜型接地導(dǎo)體層的接地端與骨架(當骨架為導(dǎo)體時)連接、骨架設(shè)有伸出絕緣體的接地端。
所述兩薄膜型導(dǎo)體層的電感量比在0.9-1.1范圍內(nèi)。
所述放電組件為放電電阻或放電電感或放電電阻與放電電感的組合。
所述的骨架在外形、導(dǎo)磁性能和導(dǎo)電性能方面沒有要求。
第二技術(shù)方案:一種電容濾波器,包括骨架、兩塊薄膜型導(dǎo)體層和至少三塊薄膜型絕緣層,兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間通過薄膜型絕緣層隔開使兩塊薄膜型導(dǎo)體層之間不導(dǎo)通,其中輸入端與輸出端串聯(lián)在火線線路中的薄膜型導(dǎo)體層為L端導(dǎo)體層,輸入端與輸出端串聯(lián)在零線線路中的薄膜型導(dǎo)體層為N端導(dǎo)體層,L端導(dǎo)體層和N端導(dǎo)體層之間串聯(lián)放電組件,L端導(dǎo)體層還對應(yīng)設(shè)有一塊一端用于接地的薄膜型接地導(dǎo)體層A,兩者之間通過薄膜型絕緣層隔開不導(dǎo)通形成電容,N端導(dǎo)體層也對應(yīng)設(shè)有一塊一端用于接地的薄膜型接地導(dǎo)體層B,兩者之間通過薄膜型絕緣層隔開不導(dǎo)通形成電容,上述薄膜型導(dǎo)體層、薄膜型絕緣層、薄膜型接地導(dǎo)體層A以及薄膜型接地導(dǎo)體層B共同卷成一個薄膜型繞組,薄膜型繞組穿套在骨架上。
上述技術(shù)方案還可作下述進一步完善:
所述薄膜型繞組和骨架外表面通過絕緣體包裹,兩塊薄膜型導(dǎo)體層的輸入端和輸出端伸出絕緣體,薄膜型接地導(dǎo)體層A的接地端和薄膜型接地導(dǎo)體層B的接地端伸出絕緣體,或者薄膜型接地導(dǎo)體層A的接地端和薄膜型接地導(dǎo)體層B的接地端與骨架(當骨架為導(dǎo)體時)連接,骨架設(shè)有伸出絕緣體的接地端。
所述薄膜型導(dǎo)體層、薄膜型絕緣層、薄膜型接地導(dǎo)體層A以及薄膜型接地導(dǎo)體層B先纏繞在空心的套筒上形成薄膜型繞組,套筒再穿套在骨架上。
所述薄膜型繞組、套筒和骨架外表面通過絕緣體包裹,兩塊薄膜型導(dǎo)體層的輸入端和輸出端伸出絕緣體,薄膜型接地導(dǎo)體層A的接地端和薄膜型接地導(dǎo)體層B的接地端伸出絕緣體,或者薄膜型接地導(dǎo)體層A的接地端和薄膜型接地導(dǎo)體層B的接地端與骨架(當骨架為導(dǎo)體時)連接、骨架設(shè)有伸出絕緣體的接地端。
所述兩薄膜型導(dǎo)體層的電感量比在0.9-1.1范圍內(nèi)。
所述的骨架在外形、導(dǎo)磁性能和導(dǎo)電性能方面沒有要求。
所述放電組件為放電電阻或放電電感或放電電阻與放電電感的組合。
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