[實用新型]一種改進的具有大模場分布的非零色散位移單模光纖

無效

• 申請號: 200820166463.5
• 申請日: 2008-11-13
• 公開（公告）號: CN201314957Y
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發明（設計）人: 吳金東;盧衛民;吳海港;張立永
• 申請（專利權）人: 富通集團有限公司
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036
• 代理公司: 浙江翔隆專利事務所
• 代理人: 胡龍祥

1、一種改進的具有大模場分布的非零色散位移單模光纖，其包括光纖芯層和包圍在光纖芯層上的包層，其特征在于所述光纖芯層包括具有不同折射率的內芯層和包圍所述內芯層的外芯層，所述外芯層的折射率為漸變分布，包層包括具有不同折射率的自內向外的內包層、環芯包層和外包層，外包層為純二氧化硅玻璃層，所述光纖芯層的折射率分布為n1>n2>nc，所述包層折射率分布為n4>n3>nc或n4>nc>n3，其中：n1為內芯層的折射率，n2為外芯層的最大折射率，n3為內包層的折射率，n4為環芯包層的折射率，nc為外包層的折射率。

2、根據權利要求1所述的一種改進的具有大模場分布的非零色散位移單模光纖，其特征是所述的內芯層、外芯層、內包層、環芯包層的波導結構參數為：

53％≤Δn1≤0.65％，3.0um≤R1≤4.0um，

15％≤Δn2≤0.40％，6.4um≤R2≤8.4um，

-0.1％≤Δn3≤0.03％，11.6um≤R3≤14.6um，

15％≤Δn4≤0.25％，17.6um≤R4≤19.8um，

其中Δn1、Δn2、Δn3、Δn4分別為內芯層、外芯層、內包層、環芯包層以nc作為參考折射率的相對折射率差，R1、R2、R3、R4分別為內芯層、外芯層、內包層、環芯包層的直徑，從R1到R2，外芯層的折射率由Δn2漸變至Δn3。

3、根據權利要求1所述的一種改進的具有大模場分布的非零色散位移單模光纖，其特征是所述的外芯層折射率漸變分布滿足公式：

n(r)＝nc*[1-2Δ(r/r2)^α]^1/2，其中r1≤r≤r2，r為外芯層的半徑變量，r1為內芯層的半徑，r2為外芯層的半徑，α為漸變規律系數。

4、根據權利要求1所述的一種改進的具有大模場分布的非零色散位移單模光纖，其特征是：

1550nm色散斜率≤0.073ps/(nm²·km)；

零色散波長≤1500nm；

有效面積為70～75um²；

1530nm～1565nm范圍內的色散為2.5～6.5ps/(nm·km)；

1565nm～1625nm范圍內的色散為6～12ps/(nm·km)；

1550的損耗≤0.22dB/km，在1530nm～1565nm波段的損耗≤0.22dB/km。