[實用新型]大功率LED封裝結構無效
| 申請號： | 200820163123.7 | 申請日： | 2008-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN201242104Y | 公開（公告）日： | 2009-05-20 |
| 發明（設計）人： | 蘇光耀;譚光明 | 申請（專利權）人： | 浙江名芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | F21V19/00 | 分類號： | F21V19/00;F21V29/00;H01L23/36;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 杭州裕陽專利事務所（普通合伙） | 代理人： | 應圣義 |
| 地址： | 324000*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 大功率 led 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1、一種大功率LED封裝結構，包括LED芯片(4)、大功率LED的金屬基座(1)，其特征是：金屬基座(1)的底平面上具有一條以上的內凹通槽(10)。
2、如權利要求1所述的封裝結構，其特征是：所述內凹通槽(10)為二條以上，并且呈水平向平行排列。
3、如權利要求1所述的封裝結構，其特征是：所述內凹通槽(10)的截面呈半圓型。
4、如權利要求1所述的封裝結構，其特征是：每條內凹通槽(10)的壁上設有無鉛錫焊劑層。
5、如權利要求1所述的封裝結構，其特征是：LED芯片與金屬基座(1)上平面之間設有錫銀銅合金介質層。
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