[實用新型]利用燒結爐通過二次燒結規模化生產的晶硅太陽電池

無效

• 申請號: 200820160042.1
• 申請日: 2008-09-25
• 公開（公告）號: CN201270257Y
• 公開（公告）日: 2009-07-08
• 發明（設計）人: 王玉亭;傅建奇;王栩生;吳現實;高周妙
• 申請（專利權）人: 江蘇林洋新能源有限公司;江蘇林洋太陽能電池及應用工程技術研究中心有限公司
• 主分類號: H01L31/06
• 分類號: H01L31/06;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 南通市永通專利事務所
• 代理人: 葛 雷

技術領域：

本實用新型涉及一種晶硅太陽電池。

背景技術：

人類的發展將面臨著常規能源的短缺和溫室效應嚴重挑戰，二次能源，太陽能發電將有可能成為重要的替代能源。目前晶硅太陽電池推廣應用的主要障礙是效率偏低，成本高。提高效率降低成本，是廣大科技工作者的神圣職責。

目前國內外晶硅太陽電池在絲網印刷燒結工藝中都采用一次共燒工藝，在一次燒結中要圓滿完成多種任務：正面電極、背面電極形成良好的歐姆接觸；氮化硅薄膜對晶體缺陷和襯底重金屬粒子形成良好的鈍化；鋁背場在電池的背面形成P⁺層的最佳厚度，對襯底具有良好的吸雜作用。(隨著硅片越來越薄，吸雜效果也越來越明顯，效率提高的幅度也越大)為完成多種任務，選擇燒結工藝為最佳折衷方案。實踐中發現，一次燒結產品還存在著一些不足。

發明內容：

本實用新型的目的在于提供一種結構合理，工作效率高的利用燒結爐通過二次燒結規模化生產的晶硅太陽電池。

本實用新型的技術解決方案是：

一種利用燒結爐通過二次燒結規模化生產的才晶硅太陽電池，其特征是：包括P型襯底層，P型襯底層一側設置絨面N型層，在絨面N型層與P型襯底層之間設置PN結，P型襯底層另一側設置P⁺層，在絨面N型層外側設置氮化硅薄膜層，在氮化硅薄膜表面設置伸入絨面N型層的正面柵線，在P⁺層外側設置鋁漿層，在鋁漿層表面設置背電極，P⁺層的厚度為5～10μm。

本實用新型結構合理，電池效率比共燒工藝制造的提高0.25-0.6％，本實用新型適合于規模化生產。

附圖說明：

下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。

圖1是本實用新型一個實施例的結構示圖。

具體實施方式：

一種利用燒結爐通過二次燒結規模化生產的才晶硅太陽電池，包括P型襯底層5，P型襯底層5一側設置絨面N型層3，在絨面N型層與P型襯底層之間設置PN結4，P型襯底層另一側設置P⁺層6，在絨面N型層外側設置氮化硅薄膜層2，在氮化硅薄膜表面設置伸入絨面N型層的正面柵線1，在P⁺層外側設置鋁漿層7，在鋁漿層表面設置背電極8，P⁺層的厚度為5～10μm。