[實用新型]場校驗裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820153380.2 | 申請日： | 2008-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN201269925Y | 公開（公告）日： | 2009-07-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 江建華;齊振生 | 申請（專利權(quán)）人： | 華東電力試驗研究院有限公司 |
| 主分類號： | G01R35/00 | 分類號： | G01R35/00;G01R31/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人： | 鄭 瑋 |
| 地址： | 200437*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 校驗 裝置 | ||
1、一種場校驗裝置，其特征在于：包括依次設(shè)置的一離子發(fā)生單元、一控制電場區(qū)和一校核電場區(qū)，所述離子發(fā)生單元用于產(chǎn)生離子，所述控制電場區(qū)用于控制離子電流大小，所述校驗電場區(qū)用于產(chǎn)生可調(diào)節(jié)大小的直流靜電場，所述離子產(chǎn)生的電場與所述直流靜電場形成合成場強。
2、如權(quán)利要求1所述的場校驗裝置，其特征在于：所述離子發(fā)生單元包括一通第一直流高壓電源的平行電暈絲網(wǎng)，平行電暈絲網(wǎng)周圍產(chǎn)生離子。
3.如權(quán)利要求2所述的場校驗裝置，其特征在于：所述第一直流高壓電源的輸出電壓可調(diào)節(jié)大小。
4.如權(quán)利要求2所述的場校驗裝置，其特征在于：所述平行電暈絲網(wǎng)上方間隔設(shè)置一絕緣或金屬蓋板。
5.如權(quán)利要求4所述的場校驗裝置，其特征在于：所述絕緣或金屬蓋板外側(cè)設(shè)有防暈環(huán)。
6、如權(quán)利要求1所述的場校驗裝置，其特征在于：所述控制電場區(qū)由間隔平行設(shè)置的離子電流控制柵網(wǎng)和上校核極板產(chǎn)生的電場所形成，用以控制離子在電場的作用下，向下運動，產(chǎn)生離子電流，以控制進(jìn)入控制電場區(qū)的所述離子電流的大小。
7、如權(quán)利要求6所述的場校驗裝置，其特征在于：所述校核電場區(qū)由間隔平行設(shè)置的所述上校核極板和一下校核極板產(chǎn)生的直流靜電場所形成，其與經(jīng)所述上校核極板流入校核電場區(qū)的所述離子產(chǎn)生的電場形成合成場強。
8.如權(quán)利要求7所述的場校驗裝置，其特征在于：所述上、下校核極板之間設(shè)有均壓裝置。
9.如權(quán)利要求8所述的場校驗裝置，其特征在于：所述均壓裝置包括若干個均壓環(huán)和若干個均壓電阻，所述均壓環(huán)和均壓電阻串聯(lián)于所述上、下校核極板之間。
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