[實用新型]瞬間高電壓吸收回路

有效

• 申請號: 200820152880.4
• 申請日: 2008-09-09
• 公開（公告）號: CN201266330Y
• 公開（公告）日: 2009-07-01
• 發明（設計）人: 泮金德;呂堅
• 申請（專利權）人: 上海華潤特種變壓器成套有限公司
• 主分類號: G05F1/24
• 分類號: G05F1/24
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 孫長龍

技術領域

本實用新型涉及補償式無觸點交流穩壓器，特別涉及其中補償變壓器中的瞬間高電壓吸收回路。

背景技術

目前市場上的補償式穩壓器主要由碳刷調節式和可控硅調節式，相對于碳刷調節式，可控硅調節具有無觸點調節、響應時間快，無噪音、無磨損、無機械傳動、免維護等優點，但由于可控硅屬于半導體元件，承受瞬間大電流、大電壓能力較差，容易被擊穿而損壞。

如圖1所示，是補償式穩壓器中的補償變壓器的工作原理圖。將一個補償變壓器的次級串聯在主電路中，由可控硅K1、K2控制補償變壓器T的初級。當K1導通、K2斷開時，補償變壓器T投入工作，產生補償電壓ΔU，此時，輸出電壓UL2＝UL1+ΔU，其中UL1為補償變壓器T的輸入電壓；當K1斷開、K2導通時，補償變壓器不工作，輸出電壓UL2等于輸入電壓UL1，從而達到了根據輸入電壓變化調整穩定輸出電壓的目的。

由于當K1斷開，K2還未接通的瞬間，補償變壓器初級線圈在L3點與N點間會產生很高的感應電勢(如果輸入電壓為220V時，感應電勢將超過470V)，該電勢疊加到可控硅K1和K2兩端，很可能把可控硅擊穿而造成穩壓器出現故障。

實用新型內容

本實用新型為解決上述問題，提供了一種用于補償變壓器初級線圈中的高電壓吸收回路。

本實用新型解決其技術問題所采取的技術方案是：一種瞬間高電壓吸收回路，用于吸收補償變壓器初級線圈的高電壓，包括并聯在所述補償變壓器初級線圈兩端的可控開關單元，所述補償變壓器的初級線圈的高電位一端還連接有壓敏電阻，所述壓敏電阻的另一端與所述可控開關單元的控制端相連。

所述可控開關單元還可串聯有一個隔離電阻。

所述壓敏電阻的另一端還可連接有一個下拉電阻。

所述可控開關單元可采用可控硅。

本實用新型通過可控開關單元并聯接在補償變壓器初級線圈的兩端，由于線圈在通、斷過程中，會產生很大的感應電勢，直接作用在所述開關控制單元的兩端，在壓敏電阻的控制下擊穿，能有效的吸收由線圈產生的瞬間感應電勢，保護穩壓器中的可控硅。

附圖說明

圖1為現有補償變壓器工作原理圖；

圖2為本實用新型中帶有吸收回路的補償變壓器工作原理圖。

具體實施方式

如圖2中所示，本實用新型由電阻R、R1、壓敏電阻TVR、可控硅K3組成。所述隔離電阻R和可控硅K3串聯后，并聯在所述補償變壓器初級線圈的兩端，即L3點和N點之間，所述壓敏電阻TVR的一端連接在所述補償變壓器的初級線圈的高電位一端，即L3端，另一端與所述可控硅的控制端相連。所述壓敏電阻的另一端還通過下拉電阻R1連接到N端。

當K1接通，K2斷開時，補償變壓器開始工作，在本實用新型吸收回路，即L3點和N點間加入了220V電壓，此時，壓敏電阻TVR不導通，由所述壓敏電阻TVR控制的可控硅K3也不導通；當K1斷開，K2還未接通的瞬間，在L3、N之間會產生很高的感應電勢(超過470V)，從而使壓敏電阻TVR導通并流過一定的電流，觸發雙向可控硅K3導通，使L3、N之間的感應電勢迅速被吸收，從而確保K1和K2不受損壞而正常工作。

其中，所述電阻R選用了一個低阻值電阻，使得可控硅K3在導通時，吸收回路對瞬間大電壓吸收更快速，吸收更徹底，且對系統損耗低。

以上對本實用新型所提供的瞬間高電壓吸收回路進行了詳細介紹，本文中應用了具體個例對本實用新型的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本實用新型的方法及其核心思想；同時，對于本領域的一般技術人員，依據本實用新型的思想，在具體實施方式及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本實用新型的限制。