[實用新型]雙腔交替式非晶硅光伏薄膜化學氣相沉積設備有效
| 申請號： | 200820152147.2 | 申請日： | 2008-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN201274295Y | 公開（公告）日： | 2009-07-15 |
| 發明（設計）人： | 奚建平;金小亮 | 申請（專利權）人： | 上海曙海太陽能有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/20 | 分類號： | H01L31/20;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201300上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 交替 式非晶硅光伏 薄膜 化學 沉積 設備 | ||
【權利要求書】：
1.一種雙腔交替式非晶硅光伏薄膜化學氣相沉積設備，包括真空鍍膜機，所述真空鍍膜機包括真空腔體及與其連接的加熱/冷卻系統、真空獲得/壓力測量系統、工藝氣體/流量控制系統、射頻電源/匹配器系統和中心控制系統，其特征在于：該真空鍍膜機設有兩個真空腔體，每個真空腔體設有一至多個電極盒。
2.如權利要求1所述的雙腔交替式非晶硅光伏薄膜化學氣相沉積設備，其特征在于：所述兩個真空腔體共用真空獲得/壓力測量系統，工藝氣體/流量控制系統，射頻電源/匹配器系統，通過中心控制系統在時間上控制真空腔體的交替鍍膜過程。
3.如權利要求1所述的雙腔交替式非晶硅光伏薄膜化學氣相沉積設備，其特征在于：所述真空腔體內設置軌道，電極盒安裝在軌道上，便于安裝和維護時拉出和推入。
4.如權利要求1所述的雙腔交替式非晶硅光伏薄膜化學氣相沉積設備，其特征在于：各個系統與電極盒的連接均為固定式，在生產的全部過程中無須移動、拆卸或裝接。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海曙海太陽能有限公司，未經上海曙海太陽能有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200820152147.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
