[實用新型]用于785納米波段熔融石英透射1×3偏振無關(guān)分束光柵無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820151906.3 | 申請日: | 2008-08-13 |
| 公開(公告)號: | CN201242598Y | 公開(公告)日: | 2009-05-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周常河;馮吉軍 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所 |
| 主分類號: | G02B5/18 | 分類號: | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 | 代理人: | 張澤純 |
| 地址: | 201800上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 785 納米 波段 熔融 石英 透射 偏振 無關(guān) 光柵 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及1×3偏振無關(guān)分束器件,特別是一種用于785納米波段的高效率熔融石英透射1×3偏振無關(guān)分束光柵。
背景技術(shù)
分束器廣泛應(yīng)用于各種光學(xué)系統(tǒng)中,它能把一束入射光分成幾束能量相等的出射光。傳統(tǒng)的基于多層介質(zhì)膜的分束器能量損失較大,制造過程復(fù)雜,成本高。近年來興起的光子晶體作為分束器,也同樣存在著成本高,制造困難等缺點。一些文獻報道了高密度相位光柵作為分束器,但主要是用作1×2分束器件,且是偏振相關(guān)的。而傳統(tǒng)的可用作1×3分束器件的達(dá)曼光柵分束器,最高理論衍射效率僅有68.74%【在先技術(shù)1:C.Zhou,and?L.Liu,Appl.Opt.34,5961-5969(1995)】。而熔融石英是一種非常好的光學(xué)材料,它具有從深紫外到遠(yuǎn)紅外的寬透射譜,有很高的光學(xué)質(zhì)量,溫度穩(wěn)定性好,激光破壞閾值高。以熔融石英為材料,已經(jīng)設(shè)計和制造了低偏振相關(guān)損耗、高衍射效率光柵和偏振分束光柵。因此,若用熔融石英來制作1×3偏振無關(guān)分束光柵,將是非常合適的。
高密度矩形深刻蝕光柵是利用微電子深刻蝕工藝,在基底上加工出的具有較深槽形的光柵。由于表面刻蝕光柵的刻蝕深度較深,所以衍射性能類似于體光柵,具有體光柵的布拉格衍射效應(yīng),這一點與普通的表面淺刻蝕平面光柵完全不同。高密度矩形深刻蝕光柵的衍射理論,不能由簡單的標(biāo)量光柵衍射方程來解釋,而必須采用矢量形式的麥克斯韋方程并結(jié)合邊界條件,通過編碼的計算機程序精確地計算出結(jié)果。Moharam等人已給出了嚴(yán)格耦合波理論的算法【參見在先技術(shù)2:M.G.Moharamet?al.,J.Opt.Soc.Am.A.12,1077(1995)】,可以解決這類高密度光柵的衍射問題。但據(jù)我們所知,目前為止,還沒有人針對常用的785納米波段給出高密度深刻蝕熔融石英高效率透射1×3偏振無關(guān)分束光柵。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種用于785納米波段的熔融石英透射1×3偏振無關(guān)分束光柵,在785納米波段入射光垂直入射到光柵面上時,該光柵可以對TE偏振光和TM偏振光同時實現(xiàn)0級衍射和±1級衍射等效率透射,衍射效率差小于2%,總衍射效率高于97%。
本實用新型的技術(shù)解決方案如下:
一種用于785納米波段的熔融石英透射1×3偏振無關(guān)分束光柵,是一種矩形高密度深刻蝕光柵,光柵的占空比為0.5,該光柵的周期的取值范圍為1064-1072納米、刻蝕深度范圍為2.580-2.602微米。
所述光柵的周期為1068納米,刻蝕深度為2.591微米的技術(shù)效果最好。
本實用新型的技術(shù)效果:
本實用新型用于785納米波段的熔融石英透射1×3偏振無關(guān)分束光柵由光學(xué)全息記錄技術(shù)或電子束直寫裝置結(jié)合微電子深刻蝕工藝加工而成,工藝成熟,造價小,能大批量生產(chǎn),具有重要的實用前景。
實驗表明:在785納米波段入射光垂直入射到本實用新型光柵面上時,可以使TE偏振光0級衍射和±1級衍射的效率分別為32.47%和32.51%,TM偏振光0級衍射和±1級衍射的效率分別為32.95%和32.97%,總衍射效率均高于97%,對TE和TM偏振光可以同時實現(xiàn)近乎理想的高效率1×3分束。
附圖說明
圖1是本實用新型785納米波長的高效率熔融石英透射1×3偏振無關(guān)分束光柵的幾何結(jié)構(gòu)。
圖2是本實用新型1×3偏振無關(guān)分束光柵在不同光柵周期和刻蝕深度下TE偏振光垂直入射的0級衍射和±1級衍射的效率差密度曲線。
圖3是本實用新型1×3偏振無關(guān)分束光柵在不同光柵周期和刻蝕深度下TM偏振光垂直入射的0級衍射和±1級衍射的效率差密度曲線。
圖4是本實用新型1×3偏振無關(guān)分束光柵(熔融石英的折射率取1.453596)光柵周期為1068納米,刻蝕深度為2.591微米,占空比為0.5,在785納米波段附近使用,各波長垂直入射到光柵時,TE/TM模式下的0級衍射效率和±1級衍射效率隨入射波長的變化曲線。
圖5是全息光柵記錄光路。圖中7代表氦鎘激光器,8代表快門,9代表分束鏡,10、11、12、13代表反射鏡,14、15代表擴束鏡,16、17代表透鏡,18代表基片。
具體實施方式
下面結(jié)合實施例和附圖對本實用新型作進一步說明。
本實用新型的依據(jù)如下:
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