[實用新型]大功率激光器中的直流驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820150413.8 | 申請日: | 2008-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN201247906Y | 公開(公告)日: | 2009-05-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張濤;陳鋒華 | 申請(專利權(quán))人: | 上海拜安信息科技有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/042 | 分類號: | H01S5/042;H01S5/062 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人: | 王 潔;鄭 暄 |
| 地址: | 201204上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 大功率 激光器 中的 直流 驅(qū)動 電路 結(jié)構(gòu) | ||
1、一種大功率激光器中的直流驅(qū)動電路結(jié)構(gòu),包括外部控制信號輸入端,其特征在于,所述的電路結(jié)構(gòu)中包括方波發(fā)生功能模塊、功率驅(qū)動功能模塊和濾波功能模塊,所述的外部控制信號輸入端依次通過所述的方波發(fā)生功能模塊、功率驅(qū)動功能模塊和濾波功能模塊與激光器功能電路相連接。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率激光器中的直流驅(qū)動電路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述的方波發(fā)生功能模塊為電流開關(guān)整形器、PWM發(fā)生器或者單片機方波發(fā)生器。
3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的大功率激光器中的直流驅(qū)動電路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述的單片機方波發(fā)生器為LTC3729方波發(fā)生功能芯片。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率激光器中的直流驅(qū)動電路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述的功率驅(qū)動功能模塊為MOSFET場效應(yīng)管電流開關(guān)電路或者功率三極管電流開關(guān)電路。
5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的大功率激光器中的直流驅(qū)動電路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述的MOSFET場效應(yīng)管電流開關(guān)電路包括第一場效應(yīng)管(M1)、第二場效應(yīng)管(M2)、第三場效應(yīng)管(M3)和第四場效應(yīng)管(M4),所述的第一場效應(yīng)管(M1)和第二場效應(yīng)管(M2)串聯(lián)跨接于電源和地之間,所述的第三場效應(yīng)管(M3)和第四場效應(yīng)管(M4)也串聯(lián)跨接于電源和地之間,所述的第一場效應(yīng)管(M1)、第二場效應(yīng)管(M2)、第三場效應(yīng)管(M3)和第四場效應(yīng)管(M4)的柵極分別與方波發(fā)生功能模塊的輸出端相連接,所述的濾波功能模塊的輸入端接于所述的第一場效應(yīng)管(M1)和第二場效應(yīng)管(M2)之間,且所述的濾波功能模塊的輸入端還接于所述的第三場效應(yīng)管(M3)和第四場效應(yīng)管(M4)之間。
6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的大功率激光器中的直流驅(qū)動電路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述的MOSFET場效應(yīng)管電流開關(guān)電路中還包括第一穩(wěn)壓保護二極管(D1)和第二穩(wěn)壓保護二極管(D2),所述的第一穩(wěn)壓保護二極管(D1)的正極接地,其負極接于第一場效應(yīng)管(M1)和第二場效應(yīng)管(M2)之間,所述的第二穩(wěn)壓保護二極管(D2)的正極接地,其負極接于第三場效應(yīng)管(M3)和第四場效應(yīng)管(M4)之間。
7、根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的大功率激光器中的直流驅(qū)動電路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述的濾波功能模塊為LC濾波電路或者RC濾波電路。
8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的大功率激光器中的直流驅(qū)動電路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述的LC濾波電路包括第一電感(L1)、第二電感(L2)第一電容和第二電容,所述的第一電感(L1)和第一電容串聯(lián)跨接于所述的功率驅(qū)動功能模塊的輸出端與地之間,所述的第二電感(L2)和第二電容也串聯(lián)跨接于所述的功率驅(qū)動功能模塊的輸出端與地之間,所述的激光器功能電路的輸入端接于所述的第一電感(L1)和第一電容之間,且所述的激光器功能電路的輸入端還接于所述的第二電感(L2)和第二電容之間。
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