[實用新型]一種DC-DC轉換降壓軟開關電路

無效

• 申請號: 200820146896.4
• 申請日: 2008-08-27
• 公開（公告）號: CN201266886Y
• 公開（公告）日: 2009-07-01
• 發明（設計）人: 陳立新;黃冬青
• 申請（專利權）人: 深圳市中電能投資管理有限公司
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155;H02M1/36;H05B41/282
• 代理公司: 深圳市中聯專利代理有限公司
• 代理人: 李 俊

技術領域

本實用新型涉及一種用于高強度氣體放電燈的電子鎮流器。

背景技術

目前，常見的DC-DC降壓轉換電路中基本上是使用硬開關電路，然而傳統電力中由于MOSFET在關斷時漏極和源極電壓會瞬間變的很高，從而產生很多害處。一是產生大量的電磁干擾，因為漏極和源極電壓是從瞬間從零變為輸入電壓，電壓變化率很高，從而使產品的EMC即電磁兼容難以通過。二是開關損耗很大，因為關斷會產生很大的熱量使電源的效率降低，從而減少了電源的使用壽命。所以，目前我們就需要一種損耗、干擾小的降壓轉換軟開關電路。

實用新型內容

為了解決上述問題，本實用新型公開了一種DC-DC轉換降壓軟開關電路，包括NMOS管Q4、電感L14、L8，電容C9、C11，二極管D11～D13，NMOS管Q4接通后，vin輸入端通過C11、D13、L14、C9、Q4回路給C9充電。因為電容電壓不可突變，所以在NMOS管Q4關斷時源極和漏極的電壓為零，損耗也就為零。

本實用新型的有益效果為：使用較少的電子元器件實現了開關管零電壓關斷。從而有效的降低了電磁干擾，和實現了NMOS管關斷零損耗。

附圖說明

圖1為現有技術一實施例電路原理圖；

圖2為現有技術另一種實施例電路原理圖；

圖3為圖1采用本實用新型的實施例電路原理圖；

圖4為圖2采用本實用新型的實施例電路原理圖；

圖5為現有技術中MOSFET的源極和漏極的電壓波形與柵極的驅動波形；

圖6為本實用新型中MOSFET的源極和漏極的電壓波形與柵極的驅動波形。

具體實施方式

為了使本實用新型更容易被理解，下面我們結合附圖來做更詳細的解釋。

圖1、圖2為現有技術的電路原理圖，其中Q3為NMOS管，當NMOS管Q3開通時，漏極和源極電壓為Vin，因為在Q3關斷的時候，D10續流導通，Q3的源極電壓為零。而當NMOS管Q3關閉時，由于關斷后電感L12的電流不可突變，所以D10持續導通對其進行續流，其管壓降近似為零，NMOS管Q3的漏極和源極電壓突變為輸入電壓VIN。

圖5為現有技術中MOSFET的源極和漏極的電壓波形與柵極的驅動波形。圖中線1為NMOS管Q3的漏極對源極的電壓波形，線2為柵極的驅動波形，都是以時間為橫軸，電壓為縱軸的波形圖。由波形可以看出，當NMOS管Q3開始關斷的時候，漏極和源極電壓已經升到Vin，而此時NMOS管Q3還有大電流流過。

因此，參閱圖1、圖2、圖5，由于NMOS管Q3的漏極和源極電壓變化太快，即dV/dT很大，導致輻射出很大的干擾信號。又因為開關管的關斷損耗是P_off＝IVdst_off/T，所以當電壓突變時關斷損耗非常大，同時該損耗輕則使開關管發熱降低效率，重則使開關擊穿損壞。

圖3為圖1采用本實用新型的實施例電路原理圖，其中NMOS管Q4源極接冷地，漏極分別與電容C9、二極管D11正極、電感L8連接，C9另一端與二極管D12的正極和電感L14連接，二極管D12和D11負極分別接輸入端。電感L8和電感L14的另一端則分別與二極管D13正極和負極連接，同時電感L8的另一端與電容C11一端連接并接熱地，而電容C11另一端則接輸出端。當NMOS管Q4開通時，Vin輸入端通過C11、D13、L14、C9、Q4這個回路給C9充電，由于上次關斷時，二極管D12續流完后處于鉗位，所以電容C9上的電壓為VIN極性上正下負。當NMOS管Q4關斷時，由于電容C9電壓為VIN且電容電壓不可突變。因此，關斷時，NMOS管Q4的源極和漏極的電壓為0。

圖4為圖2采用本實用新型的實施例電路原理圖，其中NMOS管Q4漏極接輸入端，源極分別接電感L8、電容C9、二極管D11負極，C9另一端則與二極管D12負極和二極管D13正極連接，二極管D13負極與電感L14連接，二極管D12正極接冷地，電感L8和電感L14與電容C11一端連接并接輸出端，電容C11另一端接熱地，二極管D11正極則接冷地。當NMOS管Q4開通時，VIN輸入端通過Q4、C9、D13、L14、C11這個回路給C9充電，由于上次關斷時，二極管D12續流完后處于鉗位，所以電容C9上的電壓為VIN極性上正下負。當NMOS管Q4關斷時，由于電容C9電壓為VIN且電容電壓不可突變。因此，關斷時，NMOS管Q4的源極和漏極的電壓為零。