[實用新型]毫米波驅動級單片收/發集成電路

有效

• 申請號: 200820141365.6
• 申請日: 2008-11-12
• 公開（公告）號: CN201290108Y
• 公開（公告）日: 2009-08-12
• 發明（設計）人: 陳亞平;關亮中
• 申請（專利權）人: 成都雷電微力科技有限公司
• 主分類號: H04B1/00
• 分類號: H04B1/00;G01S7/28
• 代理公司: 成都惠迪專利事務所
• 代理人: 梁 田

1.毫米波驅動級單片收/發集成電路，其特征在于，所述集成電路包括前級開關電路SPDT1、末級開關電路SPDT2、功率放大電路MPA和低噪聲放大電路LNA，前級開關電路SPDT1設置于集成電路的輸入端，且其兩個輸出端OUT1、OUT2分別與功率放大電路MPA輸入端、低噪聲放大電路LNA輸出端相連，而末級開關電路SPDT2設置于集成電路的輸出端，其兩個輸入端IN1、IN2分別與功率放大電路MPA輸出端、低噪聲放大電路LNA輸入端相連，前級開關電路SPDT1與末級開關電路SPDT2成對稱設置，功率放大電路MPA與低噪聲放大電路LNA成對稱設置。

2.根據權利要求1所述的毫米波驅動級單片收/發集成電路，其特征在于，所述前級開關電路SPDT1包括場效應管Q1、場效應管Q4和電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4，其中，場效應管Q1的漏極D和場效應管Q4的源極S相連并作為前級開關電路SPDT1的輸入端V_IN；場效應管Q1的柵極G、電阻R1和電阻R2依次連接后與場效應管Q4的柵極G相連，場效應管Q1的源極S和場效應管Q4的漏極D分別作為前級開關電路SPDT1的兩個輸出端OUT1和OUT2；電阻R3一端與場效應管Q1的柵極G相連，另一端與電源V1相連；電阻R4一端與場效應管Q4的柵極G相連，另一端與電源V2相連；電阻R1和電阻R2的連接端還與電源Vg相連。

3.根據權利要求1所述的毫米波驅動級單片收/發集成電路，其特征在于，所述末級開關電路SPDT2由場效應管Q7、場效應管Q10和電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8組成，其中，場效應管Q7的漏極D和場效應管Q10的源極S相連并作為末級開關電路SPDT2的輸出端V_OUT；場效應管Q10的柵極G、電阻R5和電阻R6依次連接后與場效應管Q7的柵極G相連，場效應管Q7的源極S和場效應管Q10的漏極D分別作為末級開關電路SPDT2的兩個輸入端IN1和IN2；電阻R7一端與場效應管Q10的柵極G相連，另一端與電源V1相連；電阻R8一端與場效應管Q7的柵極G相連，另一端與電源V2相連；電阻R5和電阻R6的連接端還與電源Vg相連。

4.根據權利要求1所述的毫米波驅動級單片收/發集成電路，其特征在于，所述集成電路設有自給偏置電路，由場效應管FET、電阻R、電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電感L1、電感L2和匹配耦合器組成，其中，場效應管FET的柵極G與電容C1相連，電容C1的另一端作為自給偏置電路的輸入端，電感L1一端與場效應管FET的柵極G相連，另一端接地；電阻R和電容C2并聯后一端與場效應管FET的源極S相連，另一端接地；場效應管FET的漏極D分別與匹配耦合器和電感L2相連，而匹配耦合器的另一端與電容C4相連，電容C4的另一端作為輸出端，電感L2的另一端連接電容C3后接地，同時，電容C3的輸入端還與電源V_D相連。

5.根據權利要求1所述的毫米波驅動級單片收/發集成電路，其特征在于，所述功率放大電路MPA由三級自給偏置電路和去耦電路組成，其中，第一級自給偏置電路的輸入端通過一個匹配耦合器與前級開關電路SPDT1的輸出端OUT1相連，第一級自給偏置電路的電容C4兼作第二級自給偏置電路的電容C1，第二級自給偏置電路的電容C4兼作第三級自給偏置電路的電容C1，而第三級自給偏置電路的電容C4與末級開關電路的輸入端IN2相連，同時第三級自給偏置電路的負載電阻還與電源V1相連；去耦電路包括電感L5、L6和電容C5、C6、C7，電感L5兩端分別連接第一級自給偏置電路的負載電阻和第二級自給偏置電路的負載電阻，電感L6兩端分別連接第二級自給偏置電路的負載電阻和第三級自給偏置電路的負載電阻，電容C5一端分別與第一級自給偏置電路的負載電阻和前級開關電路SPDT1的電阻R3相連，電容C5的另一端接地，電容C6一端與第二級自給偏置電路的負載電阻相連，另一端接地，電容C7一端與第三級自給偏置電路的負載電阻相連，另一端接地。