[實用新型]應用于光電半導體制程的半自動快速升降溫設備

有效

• 申請號: 200820139940.9
• 申請日: 2008-10-21
• 公開（公告）號: CN201289858Y
• 公開（公告）日: 2009-08-12
• 發明（設計）人: 許明慧;林武郎;洪水斌;石玉光;鄭煌玉;周明源;郭明倫
• 申請（專利權）人: 技鼎股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L33/00;H01L21/00
• 代理公司: 北京天平專利商標代理有限公司
• 代理人: 孫 剛

1.一種應用于光電半導體制程的半自動快速升降溫設備，其特征在于，包含有：

至少一半自動制程腔體，該半自動制程腔體至少分為二層，第一層外腔為不透光金屬構造外腔，預留有至少一加熱源固定孔位，以及連接有用于施以水冷與氣冷的承載物冷卻裝置，制程腔體內部冷卻隔板間互通，制程反應區域為矩形；第二層內腔為透光性構造內腔，并留有用以使制程氣體裝置向腔體內部供應潔凈與制程用氣體的氣流孔洞；

一可氣油壓驅動進行進退片的開關門機構，該開關門機構設于半自動制程腔體上，該開關門機構包括可緩沖的一承載物定位裝置、一氣/油壓致動器及一進、退片裝置，進、退片裝置包含有石英層構成的用以支撐一承載物載盤的一支撐架。

2.如權利要求1所述的應用于光電半導體制程的半自動快速升降溫設備，其特征在于，該第二層內腔為具耐熱與透光性的石英層。

3.如權利要求1所述的應用于光電半導體制程的半自動快速升降溫設備，其特征在于，該第一層外腔與第二層內腔間具有用于氣密封合的O形環構造。

4.如權利要求1所述的應用于光電半導體制程的半自動快速升降溫設備，其特征在于，該第一層外腔與第二層內腔間具有用于氣密性封合的無氧銅構造。

5.如權利要求1所述的應用于光電半導體制程的半自動快速升降溫設備，其特征在于，該加熱源為至少一紅外線加熱燈源，并固定于第一層外腔上，以陣列排列。

6.如權利要求1所述的應用于光電半導體制程的半自動快速升降溫設備，其特征在于，該載盤為用以承載至少一需進行熱處理制程承載物并用以配合不同承載物尺寸制程的具有均勻導熱層的可置換式載盤。

7.如權利要求1所述的應用于光電半導體制程的半自動快速升降溫設備，其特征在于，該第二層內腔與支撐架為多片組合式構造。

8.如權利要求1所述的應用于光電半導體制程的半自動快速升降溫設備，其特征在于，該第二層內腔與支撐架為一體成型構造。

9.如權利要求1所述的應用于光電半導體制程的半自動快速升降溫設備，其特征在于，該承載物為晶圓。