[實(shí)用新型]SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820136926.3 | 申請日： | 2008-09-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN201259157Y | 公開（公告）日： | 2009-06-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱新昌;李廷璽 | 申請（專利權(quán)）人： | 一詮精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | F21V19/00 | 分類號(hào)： | F21V19/00;F21V23/00;H01L23/12;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京市浩天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人： | 許志勇 |
| 地址： | 中國臺(tái)*** | 國省代碼： | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | smd 發(fā)光二極管 支架 改良 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包含：
一第一支架，用以固接一發(fā)光二極管晶片于該第一支架的上表面一端；
一第二支架，該第二支架的上表面一端與該發(fā)光二極管晶片產(chǎn)生電性連接；
一膠座，該第一支架及該第二支架部分地埋置于該膠座內(nèi)；
一電性連接部，自該第一支架以及該第二支架延伸設(shè)置，并設(shè)置于該膠座外部，用以與外部電源電性連接；及
一主要彎折部，設(shè)置于該第一支架及該第二支架的下表面與該電性連接部交界處，并設(shè)置有一彎折槽。
2.如權(quán)利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中，該膠座設(shè)有一內(nèi)凹的功能區(qū)，而該第一支架及該第二支架的一端是暴露于該膠座的該內(nèi)凹的功能區(qū)內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該主要彎折部設(shè)置于該膠座外部。
4.如權(quán)利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一支架以及該第二支架的該電性連接部設(shè)于該膠座的同側(cè)。
5.如權(quán)利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該第一支架以及該第二支架的該電性連接部設(shè)于該膠座的異側(cè)。
6.如權(quán)利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該彎折槽可以選自V型槽、U型槽、梯形槽以及凹型槽的組合中任選其中一種。
7.如權(quán)利要求6所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該彎折槽的深度是以不超過該第一支架或該第二支架厚度的三分之一為限制。
8.如權(quán)利要求6所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該彎折槽為V型槽態(tài)樣時(shí)，V型槽深度是為該第一支架或第二支架厚度的三分之一，V型槽所形成的夾角是為垂直角度。
9.如權(quán)利要求1所述的SMD發(fā)光二極管支架改良結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該電性連接部更包含一次要彎折部。
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