[實用新型]太陽能電池無效
| 申請號: | 200820136652.8 | 申請日: | 2008-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN201369332Y | 公開(公告)日: | 2009-12-23 |
| 發明(設計)人: | 黃泳釗;鄭博仁;簡谷衛;黃導陽 | 申請(專利權)人: | 北儒精密股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/0236 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 | 代理人: | 程 偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種太陽能電池,特別是涉及一種光電轉換效率較高的太陽能電池。
背景技術
參閱圖1,一般太陽能電池的構造是在一玻璃基板11頂面上依序成形一第一導電層12、一光電轉換層13,及一第二導電層14。使用時入射光線經玻璃基板11底面往上照射,經折射后,光線通過玻璃基板11與第一導電層12后,到達光電轉換層13,以使光電轉換層13產生電子流與電洞流,并經過該第一、第二導電層12、14傳送至外部。
但是,一般第一導電層12與光電轉換層13間的介面是呈平面,入射光線折射進入光電轉換層13前,部分光源會被上述第一導電層12與光電轉換層13間的平面反射而遠離光電轉換層13,使得光源未完全被光電轉換層13吸收,造成太陽能電池的效率較低。
發明內容
本實用新型的目的是提供一種光電轉換效率較高的太陽能電池。
本實用新型的太陽能電池包含:一透明的基板、一呈透明狀并鋪設于該透明基板頂面的第一導電層、一鋪設于該第一導電層上方的光電轉換層,及一鋪設于該光電轉換層頂面的第二導電層。并且,本實用新型的太陽能電池還包含一金屬氧化層,金屬氧化層是以透明狀并可導電的摻鋁氧化鋅材料制成并鋪設于該第一導電層頂面,且金屬氧化層的頂面是蝕刻成尖銳凹凸的形狀。
本實用新型的有益效果在于:通過位于該第一導電層頂面并以摻鋁氧化鋅材料制成的金屬氧化層,以降低傳導電流的阻抗,同時通過金屬氧化層可蝕刻的特性以于其頂面上蝕刻出可減少光源反射的鋸齒形狀或角錐形狀,提升光電轉換效率。
附圖說明
圖1是一般太陽能電池的側面視圖;
圖2是本實用新型太陽能電池的第一較佳實施例的立體圖;
圖3是該第一較佳實施例較佳實施例的側面剖視圖;
圖4是本實用新型太陽能電池的第二較佳實施例的立體圖。
具體實施方式
下面結合附圖及實施例對本實用新型進行詳細說明:
參閱圖2與圖3,本實用新型太陽能電池的第一較佳實施例包含一透明的基板2,及依序鋪設于基板2頂面的一第一導電層3、一金屬氧化層4、一光電轉換層5及一第二導電層6。
本實施例中該基板2是以玻璃材料制成,但是實際實施時也可以其他透光材料制成,實施范圍不以基板2材料為限。
該第一導電層3是鋪設于該透明基板2頂面。該第一導電層3是以透明導電的材料制成,本實施例中該第一導電層3的材料是選自于氧化銦錫或氧化銦鋅,但是實施范圍不以第一導電層3的材料為限。
該金屬氧化層4是以透明狀并可導電的摻鋁的氧化鋅材料制成,并鋪設于該第一導電層3頂面,且金屬氧化層4的頂面是蝕刻成尖銳凹凸的形狀,本實施例中該金屬氧化層4的頂面是蝕刻成鋸齒形狀,但是實際實施時也可將金屬氧化層4的頂面蝕刻成其他尖錐的形狀,實施范圍不以金屬氧化層4的頂面形狀為限。
該光電轉換層5鋪設于該金屬氧化層4頂面,且光電轉換層5可接受由該基板2照射進入的光源71,并產生光電效應而造成電子流與電洞流。
該第二導電層6是以導電材料制成并鋪設于該光電轉換層5頂面,且上述電子流與電洞流經由該第一、第二導電層6輸出至外部以供運用。該光電轉換層5與第二導電層6非本實用新型的特征,以下不再多做說明。
借此,由于該金屬氧化層4是呈透明狀且具有良好的導電性質,當金屬氧化層4疊合于該第一導電層3頂面后,等于是并聯于第一導電層3頂面,降低第一導電層3的面電阻,減少第一導電層3與金屬氧化層4傳遞電子流與電洞流的損耗。且更重要的是可利用蝕刻技術在金屬氧化層4頂面刻出預定設計的形狀,以使經過第一導電層3的光源71到達金屬氧化層4頂面時,部分光源72折射進入光電轉換層5,部分光源73被金屬氧化層4的斜頂面反射后,照射到另一斜面時,部分光源74又折射進入光電轉換層5,部分光源75反射,也就是利用金屬氧化層4的鋸齒狀頂面可減少反射遠離光電轉換層5的光源,提升太陽能電池的效率。
以下續以本實用新型的第一導電層3與金屬氧化層4的相關尺寸規格范圍與面電阻的關系做一詳細說明:
本實施例中該第一導電層3的厚度范圍是1500~2000埃(Angstrom,10的-10次方米),該金屬氧化層4成型于該第一導電層3頂面時的厚度范圍是4000~8000埃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





