[實用新型]太陽能電池結構

無效

• 申請號: 200820126693.9
• 申請日: 2008-07-11
• 公開（公告）號: CN201222506Y
• 公開（公告）日: 2009-04-15
• 發明（設計）人: 簡毓蒼;簡永杰
• 申請（專利權）人: 東捷科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/075
• 分類號: H01L31/075;H01L31/0236
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳 紅

1、一種太陽能電池結構，其特征在于，包括：

一基材；

一第一透明導電層，位于該基材之上；

一第一半導體薄膜，位于該第一透明導電層之上；

一第二透明導電層，位于該第一半導體薄膜之上，且該第二透明導電層具有一第一粗糙表面；

一第二半導體薄膜，位于該第二透明導電層之上；以及

一接觸電極，位于該第二半導體層之上。

2、根據權利要求1所述的太陽能電池結構，其特征在于，該基材是一玻璃基材，該第一透明導電層的材料為二氧化錫或氧化鋅，而該接觸電極是一金屬層。

3、根據權利要求1所述的太陽能電池結構，其特征在于，該第一半導體薄膜是由非晶硅材料所構成的一第一P-i-N結構。

4、根據權利要求3所述的太陽能電池結構，其特征在于，該第一P-i-N結構的p層厚度介于5nm至20nm之間；i層厚度介于50nm至500nm之間；n層厚度介于5nm至20nm之間。

5、根據權利要求4所述的太陽能電池結構，其特征在于，該第二半導體薄膜則由微晶硅或微晶硅鍺材料所組成的一第二P-i-N結構。

6、根據權利要求5所述的太陽能電池結構，其特征在于，該第二P-i-N結構的p層厚度介于5nm至20nm之間；i層厚度介于1μm至3μm之間；n層厚度介于10nm至50nm之間。

7、根據權利要求1所述的太陽能電池結構，其特征在于，該第二透明導電層的材料為二氧化錫或氧化鋅。

8、根據權利要求1所述的太陽能電池結構，其特征在于，還包括：

一第三透明導電層，位于該接觸電極與該第二半導體薄膜之間，且該第三透明導電層具有一第二粗糙表面；

一第三半導體薄膜，位于該接觸電極與該第三透明導電層之間；以及

一第四透明導電層，位于該接觸電極與該第三半導體薄膜之間，且該第四透明導電層具有一第三粗糙表面。

9、根據權利要求8所述的太陽能電池結構，其特征在于，該第一半導體薄膜具有由非晶硅材料所構成的一第一P-i-N結構；該第二半導體薄膜具有由微晶硅所構成的一第二P-i-N結構；第三半導體薄膜具有由微晶硅鍺所構成的一第三P-i-N結構。

10、根據權利要求8所述的太陽能電池結構，其特征在于，該第一粗糙表面、和該第二粗糙表面，是分別由一立體幾何圖案所構成，通過該立體幾何圖案的繞射來提高該第一半導體薄膜和該第二半導體薄膜的光電轉換率。