[實(shí)用新型]在開關(guān)調(diào)節(jié)器中減少啟動(dòng)時(shí)間的裝置及系統(tǒng)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200820125985.0
• 申請(qǐng)日: 2008-07-23
• 公開（公告）號(hào): CN201252479Y
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃樹良;陶志波;龔大偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 技領(lǐng)半導(dǎo)體(上海)有限公司;技領(lǐng)半導(dǎo)體國(guó)際股份有限公司
• 主分類號(hào): H02M1/36
• 分類號(hào): H02M1/36;H02M3/335
• 代理公司: 上海泰能知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 黃志達(dá)

1.一種系統(tǒng)，其特征在于，包括：

一變壓器，所述變壓器具有原邊線圈、輔助線圈和副邊線圈；

一功率晶體管，所述功率晶體管連接到所述原邊線圈；

一系統(tǒng)控制器，所述系統(tǒng)控制器控制所述功率晶體管放大電流或者作為開關(guān)工作，其中，所述系統(tǒng)控制器包括連接到所述功率晶體管的開關(guān)控制器，并且當(dāng)所述功率晶體管作為一個(gè)開關(guān)工作時(shí)，所述開關(guān)控制器控制所述功率晶體管的接通或關(guān)斷狀態(tài)；和

一電容，所述電容向所述系統(tǒng)控制器提供電壓，其中，在電壓達(dá)到所述開關(guān)控制器的接通閾值電壓之前，所述系統(tǒng)控制器使得所述功率晶體管放大提供給所述電容的電流，并且其中接通所述開關(guān)控制器的持續(xù)時(shí)間部分地依賴于提供給所述電容的放大電流的強(qiáng)度。

2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)控制器包括：

一比較器，所述比較器指示是否已經(jīng)達(dá)到所述開關(guān)控制器的所述接通閾值電壓。

3.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)控制器還包括：

一電阻，所述電阻連接到所述功率晶體管的發(fā)射極端；和

一第一開關(guān)，所述第一開關(guān)連接在所述電阻和所述電容之間，其中所述比較器控制所述第一開關(guān)是否打開，并且其中在到達(dá)所述開關(guān)控制器的接通閾值電壓之前，所述放大電流流過所述電阻和所述第一開關(guān)。

4.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)控制器還包括：

一第二開關(guān)，所述第二開關(guān)將所述功率晶體管的基極端與所述電容相連，其中在所述比較器檢測(cè)到所述開關(guān)控制器的接通閾值電壓到達(dá)之后，所述比較器閉合所述第二開關(guān)，并且其中在所述開關(guān)控制器的接通閾值電壓到達(dá)之后，電流流過所述第二開關(guān)。

5.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其特征在于，它進(jìn)一步包括：

二個(gè)串聯(lián)二極管，允許電流從功率晶體管的基極端流到所述電容。

6.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一開關(guān)包括一柵極控制的PFET晶體管。

7.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第二開關(guān)包括一二極管。

8.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第二開關(guān)包括一柵極控制的PFET晶體管。

9.如權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述電阻包括一可編程電阻。

10.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述電阻用于控制接通所述開關(guān)控制器的時(shí)間。

11.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于，

所述比較器包括一具有磁滯作用的欠壓封鎖比較器，

所述比較器的第一輸入端連接到參考電壓，和

所述比較器的第二輸入端被連接用來(lái)測(cè)量所述提供的電壓。

12.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述功率晶體管包括一通過發(fā)射極實(shí)現(xiàn)開關(guān)動(dòng)作的NPN功率晶體管。

13.一種裝置，其特征在于，它包括：

一功率晶體管，所述功率晶體管具有基極端、發(fā)射極端和集電極端；

一用于所述功率晶體管的開關(guān)控制器，其中所述開關(guān)控制器控制所述功率晶體管在接通狀態(tài)還是關(guān)斷狀態(tài)；和

一用于充電的電路，該電路通過使用所述功率晶體管放大提供給電壓源的電流，在所述開關(guān)控制器的啟動(dòng)期間，對(duì)所述開關(guān)控制器的電壓源充電，其中，接通所述開關(guān)控制器的持續(xù)時(shí)間部分地依賴于提供給所述電壓源的電流強(qiáng)度。

14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述用于充電的電路包括：

一比較器，其中所述比較器指示所述開關(guān)控制器的接通閾值電壓是否已經(jīng)達(dá)到，并且其中所述比較器控制到所述電壓源的電流路徑。

15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，當(dāng)電壓源提供小于所述開關(guān)控制器的接通閾值電壓的電壓時(shí)，所述比較器控制到所述電壓源的電流路徑是從功率晶體管的發(fā)射極端通過電阻和柵極到電壓源的第一路徑。

16.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述電壓源包括一電容。

17.如權(quán)利要求13所述的裝置，其特征在于，所述功率晶體管包括一通過發(fā)射極實(shí)現(xiàn)開關(guān)動(dòng)作的NPN功率晶體管。

18.一種系統(tǒng)，其特征在于，它包括：

一功率晶體管；

一系統(tǒng)控制器，所述系統(tǒng)控制器包括連接到所述功率晶體管的開關(guān)控制器，其中，當(dāng)所述功率晶體管工作在開關(guān)模式時(shí)，所述開關(guān)控制器控制所述功率晶體管的接通或關(guān)斷狀態(tài)；和

一電容，所述電容向所述系統(tǒng)控制器提供電壓，其中，在所述電壓達(dá)到所述開關(guān)控制器的接通閾值電壓之前，所述系統(tǒng)控制器使得所述功率晶體管工作在放大模式，其中在所述放大模式，所述功率晶體管放大提供給所述電容的電流，并且，其中接通所述開關(guān)控制器的持續(xù)時(shí)間部分地依賴于提供給所述電容的電流強(qiáng)度。