[實用新型]基片緩沖器及半導體加工設備

有效

• 申請號: 200820124223.9
• 申請日: 2008-12-02
• 公開（公告）號: CN201336301Y
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發明（設計）人: 陳德高
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/00
• 代理公司: 北京凱特來知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙鎮勇

技術領域

本實用新型涉及一種半導體加工設備，尤其涉及一種半導體加工設備的基片緩沖器。

背景技術

在半導體器件(如集成電路IC、動態隨機存儲器DRAM等)制造中，顆粒會對基片上的半導體電路產生實質性的損壞，從而影響良品率。

如圖1所示，在半導體加工設備中，EFEM(Equipment?Front?End?Module，設備前端模塊1)中設有機械手5(Robot)、基片緩沖器4(Buffer)、基片校準器(Aligner)和基片裝載端口(Loadport)等。基片緩沖器4用于暫時存放基片，以便將做完加工工藝的基片和未做加工工藝的基片分開，避免兩種基片的顆粒的交叉污染。在設備前端模塊1的頂部有一組風扇2(FFU)，風扇2運轉時在設備前端模塊1內部從上而下形成氣流。氣流經過基片緩沖器4時，就可以對基片緩沖器4中的基片有一定的吹掃作用，用以減少基片表面的顆粒。

現有技術中的基片緩沖器的結構如圖2a、圖2b、圖2c所示：

該基片緩沖器4一共有25槽，每一個槽可以放置一個基片3，基片3間距為10mm。

上述現有技術至少存在以下缺點：

裝滿基片的基片緩沖器，由于基片相互重疊，氣流只能對最上面的一個基片進行有效的吹掃，而其下方的氣流很小，這樣就導致對下方的基片表面的吹掃效果不佳，不能有效減少基片表面的顆粒。

發明內容

本實用新型的目的是提供一種能使下方的基片表面獲得較好的吹掃效果的基片緩沖器及半導體加工設備。

本實用新型的目的是通過以下技術方案實現的：

本實用新型的基片緩沖器，包括盒體，所述盒體的后部設有后罩，所述后罩的下部設有排氣口。

本實用新型的半導體加工設備，包括設備前端模塊EFEM，所述EFEM中設有上述的基片緩沖器。

由上述本實用新型提供的技術方案可以看出，本實用新型所述的基片緩沖器及半導體加工設備，由于盒體的后部設有后罩，后罩的下部設有排氣口，當氣流從后罩下方的排氣口排出時，會在基片的表面產生一個橫向的氣流，使下方的基片表面獲得較好的吹掃效果。

附圖說明

圖1為現有技術中的半導體加工設備的EFEM的結構示意圖；

圖2a為現有技術中的基片緩沖器的正面結構示意圖；

圖2b為現有技術中的基片緩沖器的背面結構示意圖；

圖2c為現有技術中的基片緩沖器裝滿基片時的狀態示意圖；

圖3a為本實用新型的基片緩沖器的結構示意圖；

圖3b為本實用新型的基片緩沖器裝滿基片時的狀態示意圖。

具體實施方式

本實用新型的基片緩沖器，其較佳的具體實施方式如圖3a、圖3b所示，包括盒體6，盒體6的后部設有后罩7，后罩7的下部設有排氣口8。當氣流從后罩7下方的排氣口8排出時，氣體從基片3的前方進入，這樣就會在基片3的表面產生一個橫向的氣流，使下方的基片3的表面獲得較好的吹掃效果。

具體可以使后罩7的兩側邊緣分別與盒體6的側壁封閉連接；后罩7的上部邊緣與盒體6的頂壁封閉連接。這樣，后罩7與盒體6之間就形成一個上方和兩側均封閉的腔體，當氣流從后罩7下方的排氣口8排出時，可以加大氣體從基片3的前方進入的量，從而加大在基片3的表面的橫向氣流。

后罩7的橫截面可以為半圓形或弧形或梯形或矩形等，也可以是其它的形狀。

排氣口8可以連接有抽氣管路，進行強制排氣，以加大基片3的表面的橫向氣流，加強吹掃效果。根據需要也可以不加抽氣管路，通過系統的溫度、循環系統等進行自然排氣。

本實用新型的半導體加工設備，其較佳的具體實施方式是，參見圖1，包括EFEM(設備前端模塊1)，EFEM中設有上述的基片緩沖器。

EFEM中可以設有抽氣裝置，抽氣裝置通過抽氣管路與基片緩沖器4的后罩7下部的排氣口8連接，用于實現強制排氣。

基片緩沖器4的上方還可以設有風扇2，用于對基片進行吹掃。風扇2和抽氣裝置可以同時設置，也可以根據需要僅設置其中的一項。

本實用新型在現有技術的基片緩沖器的后部加上后罩，并通過排氣口對基片緩沖器內部進行抽氣。可以在基片緩沖器內部形成一個橫向氣流，橫向氣流緩和的吹過基片緩沖器里的基片表面，從而實現對下方基片的吹掃，帶走基片表面的顆粒。

以上所述，僅為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。