[實用新型]一種全固態激光器有效
| 申請號： | 200820123511.2 | 申請日： | 2008-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN201345493Y | 公開（公告）日： | 2009-11-11 |
| 發明（設計）人： | 劉誼元;張瑛;亓巖;嚴偉;畢勇;賈中達 | 申請（專利權）人： | 北京中視中科光電技術有限公司 |
| 主分類號： | H01S3/08 | 分類號： | H01S3/08;H01S3/16;H01S3/109;H01S3/0941 |
| 代理公司： | 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 | 代理人： | 王 勇 |
| 地址： | 100094北京市海淀區永豐高新*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 固態 激光器 | ||
1.一種全固態激光器，包括諧振腔，其特征在于，所述諧振腔包括第一腔面和第二腔面；所述第一腔面為泵浦光入射到諧振腔內的面，所述第二腔面為諧振腔的輸出面；所述諧振腔的第一腔面和第二腔面均鍍有960nm的反射膜；所述諧振腔內具有用作激光晶體的釹摻雜濃度至少為0.5atm％的摻釹釩酸釓晶體。
2.根據權利要求1所述的全固態激光器，其特征在于，所述全固態激光器還包括用于發射可被所述摻釹釩酸釓晶體強烈吸收的近紅外波長的光的泵浦源。
3.根據權利要求2所述的全固態激光器，其特征在于，所述泵浦源是半導體激光器、氙燈或氪燈。
4.根據權利要求3所述的全固態激光器，其特征在于，所述半導體激光器是發射中心波長為808nm的GaAs半導體激光器或GaAlAs半導體激光器。
5.根據權利要求1所述的全固態激光器，其特征在于，所述諧振腔的第一腔面鍍有對808nm激光的增透膜。
6.根據權利要求1所述的全固態激光器，其特征在于，所述諧振腔的第一腔面和第二腔面中，至少有一個腔面鍍有1063nm激光的增透膜；所述諧振腔的第一腔面和第二腔面中，至少有一個腔面鍍有1341nm激光的增透膜。
7.根據權利要求6所述的全固態激光器，其特征在于，所述摻釹釩酸釓晶體的出射面鍍有1063nm和1341nm的增透膜。
8.根據權利要求1所述的全固態激光器，其特征在于，所述全固態激光器還包括耦合透鏡。
9.根據權利要求8所述的全固態激光器，其特征在于，所述耦合透鏡為自聚焦透鏡、柱透鏡、非球面鏡或耦合透鏡組。
10.根據權利要求8所述的全固態激光器，其特征在于，所述耦合透鏡入射面和出射面均鍍有對波長808nm的增透膜。
11.根據權利要求1所述的全固態激光器，其特征在于，所述諧振腔還包括輸出鏡。
12.根據權利要求11所述的全固態激光器，其特征在于，所述輸出鏡為平凹鏡或平平鏡。
13.根據權利要求1或11所述的全固態激光器，其特征在于，所述全固態激光器還包括至少一個倍頻晶體，所述倍頻晶體放置在所述摻釹釩酸釓晶體的輸出光路上。
14.根據權利要求13所述的全固態激光器，其特征在于，所述倍頻晶體可以為LBO、PPLN、BBO、BiBO、LN、KNO3、PPKTP、KTA、CBO、CLBO、PPMgOLN、KN或LiI；也可以為半導體材料。
15.根據權利要求1所述的全固態激光器，其特征在于，所述全固態激光器還包括溫度調節裝置。
16.根據權利要求15所述的全固態激光器，其特征在于，所述溫度調節裝置是用于將所述全固態激光器控制于17至37攝氏度的溫度中的溫度調節裝置。
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