[實用新型]混頻器和直接下變頻接收器

無效

• 申請號: 200820123172.8
• 申請日: 2008-10-23
• 公開（公告）號: CN201294486Y
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發明（設計）人: 馬欣龍;王文申
• 申請（專利權）人: 北京朗波芯微技術有限公司
• 主分類號: H03D7/12
• 分類號: H03D7/12;H03H11/28
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 尚志峰

1.一種混頻器，其特征在于，包括：

轉換電路，其包括差分連接的開關管(M1)和開關管(M2)，用于把射頻電壓信號轉換為電流信號；

下變頻電路，其包括差分連接的共源極開關管對開關管(M3)和開關管(M4)與共源極開關管對開關管(M5)和開關管(M6)，用于把由所述轉換電路流出的電流信號下變頻到中頻或基帶；

負載電路，其包括差分連接的電阻(R1)和電阻(R2)，用于將下變頻后的電流信號轉變為電壓信號；

容性阻抗電路，用于抵消所述開關管對開關管(M3)和開關管(M4)的共源極A點和/或開關管對開關管(M5)和開關管(M6)的共源極B點的寄生電容。

2.根據權利要求1所述的混頻器，其特征在于，所述容性阻抗電路包括：反相器(U1)、開關管(M11)以及電容器(Cs1)，其中

所述反相器(U1)設置于所述共源極A點或B點與所述開關管(M11)的柵極之間；

所述開關管(M11)的漏極分別與所述共源極A點或所述共源極B點相連；

所述電容器(Cs1)設置于所述開關管(M11)的源極與地之間。

3.根據權利要求2所述的混頻器，其特征在于，所述反相器是單位增益反相器。

4.根據權利要求2所述的混頻器，其特征在于，包括兩個所述容性阻抗電路，所述兩個容性阻抗電路分別連接所述A點和B點。

5.根據權利要求1所述的混頻器，其特征在于，所述容性阻抗電路包括：電容器(Cs)、電流源(I1)和電流源(I2)以及開關管(M7)和開關管(M8)，其中

所述開關管(M7)和開關管(M8)的漏極分別與所述共源極A、B點相連，所述開關管(M7)和開關管(M8)的柵極和漏極彼此交叉相連；

所述電容器(Cs)，設置于所述開關管(M7)和開關管(M8)的源極之間；

所述電流源(I1)和電流源(I2)，分別設置于所述開關管(M7)和開關管(M8)的源極與地之間。

6.根據權利要求5所述的混頻器，其特征在于，所述電流源包括：開關管(M9)和開關管(M10)，其中

所述開關管(M9)和開關管(M10)的柵極連接偏置電流源(Vb)，其源極分別與參考電壓(VDD)相連，其漏極分別與所述開關管(M7)和開關管(M8)的源極相連。

7.根據權利要求1至6任一項所述的混頻器，其特征在于，所述開關管(M1)至開關管(M6)為CMOS管。

8.根據權利要求2至4任一項所述的混頻器，其特征在于，所述開關管(M11)為CMOS管。

9.根據權利要求6所述的混頻器，其特征在于，所述開關管(M7)至開關管(M10)為CMOS管。

10.一種直接下變頻接收器，其特征在于，包括權利要求1-9中任一項所述的混頻器。