[實用新型]一種相變存儲器單元結構無效
| 申請號： | 200820122450.8 | 申請日： | 2008-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN201285770Y | 公開（公告）日： | 2009-08-05 |
| 發明（設計）人： | 張澤;王珂;成巖;劉攀;韓曉東 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;G11C16/02;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 | 代理人： | 張 慧 |
| 地址： | 100022*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 相變 存儲器 單元 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種相變存儲器單元結構，包括：在絕緣襯底(1)上依次沉積的底電極(2)、過渡層(3)、絕熱層(4)、相變材料層(5)、過渡層(6)和頂電極(8)，本實用新型的特征在于：所述的相變材料層下方設置了具有中空槽的中空槽狀鎢電極(9)，中空槽內填充有絕熱材料。
2、根據權利要求1所述的相變存儲器單元結構，其特征在于：所述中空槽狀鎢電極(9)的內半徑為中空槽狀鎢電極外半徑的0.4倍以上，中空槽內填充有絕熱材料SiO2。
3、根據權利要求1所述的相變存儲器單元結構，其特征在于：中空槽狀鎢電極(9)中的中空槽的半徑為80-250nm的孔，中空槽的高度小于絕熱層厚度。
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