[實(shí)用新型]定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820118573.4
• 申請日: 2008-05-28
• 公開（公告）號: CN201224758Y
• 公開（公告）日: 2009-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚朝禎;李智淵
• 申請（專利權(quán)）人: 鈺衡科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/56
• 代理公司: 北京高默克知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陸式敬

1.一種定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于：它包括：

至少一支撐框架，系由復(fù)數(shù)個(gè)矩形框體與復(fù)數(shù)個(gè)桿體所組立之立體框架；

至少一制程室，系設(shè)置于該支撐框架上，其內(nèi)部之二相對側(cè)設(shè)置有內(nèi)部傳動(dòng)裝置，并于該內(nèi)部傳動(dòng)裝置上方設(shè)置有感應(yīng)裝置；

至少一磁控室，系設(shè)置于該制程室上方，其內(nèi)部設(shè)有具復(fù)數(shù)個(gè)濺鍍靶材之濺鍍陰極，并于外圍設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)補(bǔ)強(qiáng)肋；

至少一制程室閘門閥，系設(shè)置于該制程室外部之一側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于：

所述濺鍍靶材為一凸字型結(jié)構(gòu)，倒置固定于該濺鍍陰極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于：

所述磁控室更包含設(shè)置于該濺鍍陰極的復(fù)數(shù)個(gè)固定塊，其邊緣為階梯狀結(jié)構(gòu)與該濺鍍靶材邊緣吻合并抵接于該濺鍍靶材邊緣。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于：

所述濺鍍靶材具有復(fù)數(shù)個(gè)螺孔，設(shè)置于該濺鍍靶材與該濺鍍陰極的接觸邊之兩端。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于：

定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備還包括至少一連接至該制程室閘門閥異于該制程室之一側(cè)的負(fù)載卸載室。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于：

所述負(fù)載卸載室之二相對側(cè)設(shè)置有內(nèi)部傳動(dòng)裝置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于：

所述負(fù)載卸載室具有設(shè)置在該內(nèi)部傳動(dòng)裝置之二側(cè)上方的感應(yīng)裝置。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于：

所述負(fù)載卸載室在異于該制程室閘門閥之一側(cè)設(shè)置有進(jìn)出料閘門閥。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于：

所述負(fù)載卸載室于該進(jìn)出料閘門閥下方設(shè)置有外部傳動(dòng)裝置以及連接于該外部傳動(dòng)裝置下方的升降裝置。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述之定點(diǎn)式厚膜真空濺鍍設(shè)備，其特征在于：所述感應(yīng)裝置系為光纖傳感器。