[實(shí)用新型]高通量測試芯片無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820116080.7 | 申請日： | 2008-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN201188104Y | 公開（公告）日： | 2009-01-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 朱曉璐;易紅;倪中華 | 申請（專利權(quán)）人： | 東南大學(xué) |
| 主分類號： | G01N33/48 | 分類號： | G01N33/48;C12Q1/02;A61B5/00;A61B10/00 |
| 代理公司： | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 葉連生 |
| 地址： | 211109江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 通量 測試 芯片 | ||
1.一種高通量測試芯片，其特征在于，該測試芯片包括微電極組(10)、芯片基底(01)、導(dǎo)電層(02)、帶有過孔的絕緣層(03)、芯片中間間隔層(04)、芯片蓋片(05)和進(jìn)樣口(06)；在芯片基底(01)上設(shè)有導(dǎo)電層(02)，在導(dǎo)電層(02)上設(shè)有帶有過孔的絕緣層(03)，在帶有過孔的絕緣層(03)的邊沿上設(shè)有間隔層(04)，在芯片中間間隔層(04)內(nèi)的帶有過孔的絕緣層(03)上設(shè)有微電極組(10)，在芯片中間間隔層(04)上設(shè)有芯片蓋片(05)，進(jìn)樣口(06)設(shè)在芯片蓋片(05)的中部。
2.如權(quán)利要求1所述的高通量測試芯片，其特征在于，所述的芯片基底(01)、絕緣層(03)、芯片中間間隔層(04)和芯片蓋片(05)的材料為絕緣材料。
3.如權(quán)利要求2所述的高通量測試芯片，其特征在于，所述的絕緣材料包含玻璃、或硅、或高分子聚合物或它們的組合在內(nèi)的生物相容性好的絕緣材料。
4.如權(quán)利要求1所述的高通量測試芯片，其特征在于，微電極組(10)由多根平行的細(xì)長條電極組成，并形成周期排布的行波電極，且所有產(chǎn)生相同電位的電極連接到同一個端子，電極直接連至導(dǎo)電層(02)或通過絕緣層(03)的過孔連接到導(dǎo)電層(02)。
5.如權(quán)利要求1所述的高通量測試芯片，其特征在于，導(dǎo)電層(02)是透明的導(dǎo)電材料時，導(dǎo)電層(02)覆蓋整個測試區(qū)。
6.如權(quán)利要求1所述的高通量測試芯片，其特征在于，微電極組(10)中的每個微電極分為本征光電導(dǎo)層(11)、n+型光電導(dǎo)層(12)、透明導(dǎo)電薄膜層(13)三層；光電導(dǎo)層(11)的材料包括氫化非晶硅的具有光電導(dǎo)特性的材料；透明導(dǎo)電薄膜層(13)的材料包括氧化銦錫的具有高透光率的導(dǎo)電材料。
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