[實(shí)用新型]一種整流電橋電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820115926.5
• 申請日: 2008-06-04
• 公開（公告）號: CN201204552Y
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏景龍;劉星;李風(fēng)國;賴華平;張憲玉
• 申請（專利權(quán)）人: 北京銥缽隆芯科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H02M7/219
• 分類號: H02M7/219
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及微電子集成技術(shù)，尤其涉及一種對集成電路中的整流電橋電路的改進(jìn)。

背景技術(shù)

圖1為現(xiàn)有技術(shù)整流電橋的實(shí)現(xiàn)電路。其采用四個二極管以圖中所示方式構(gòu)成。該技術(shù)方案的缺陷在于：

1.由于硅二極管的導(dǎo)通電壓約為0.7伏特，而該整流電橋的一個回路要包含兩個二極管，因此，該整流電橋的輸入端和輸出端電壓的壓差約為1.4伏特。在電源輸入能量有限時，較大地消耗了電源輸入的能量。

2.由于二極管集成在芯片中時，都會存在寄生的三極管效應(yīng)，從而，當(dāng)這些二極管串聯(lián)在芯片內(nèi)的線路中時，若二極管的兩端均非芯片內(nèi)部確定的最高或最低電壓端，則二極管在其正向或者反向總存在一定的漏電流，進(jìn)而導(dǎo)致芯片工作過程中總存在一定的漏電流。結(jié)合圖1所示整流電橋電路，其二極管1的陰極與二極管3的陽極相連，并連接到電源輸入的一端。若該端連接輸入的正極，則上述二極管1的陰極和上述二極管3的陽極處于高電位，而若該端連接輸入的負(fù)極時，則上述二極管1的陰極和上述二極管3的陽極處于低電位，這樣就導(dǎo)致二極管1和二極管3總存在某個方向上的漏電流。同樣道理，二極管2和二極管4也存在這樣的問題。

通常集成工藝中要求二極管在芯片中禁止串聯(lián)使用，并要求將二極管兩極中的任一極連接到芯片內(nèi)部確定的最低或最高電位端。采取其他特定的工藝處理和布圖設(shè)計(jì)可以減小在芯片內(nèi)部串聯(lián)二極管造成的漏電流，但也不能最終消除二極管的寄生效應(yīng)，上述漏電流始終存在。這就不利于輸入端輸入的能量的有效利用，并有可能導(dǎo)致橋路的損壞。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種壓降較小并便于集成的整流電橋電路。

本實(shí)用新型的一種技術(shù)方案可描述為：

一種整流電橋電路，包含兩個PMOS管、和兩個NMOS管，分別為PMOS管一、PMOS管二、NMOS管一、和NMOS管二。所述PMOS管一的漏極和襯底、所述PMOS管二的漏極和襯底連接在一起，共同構(gòu)成所述整流電橋電路的輸出的正極。所述NMOS管一的源極和襯底、所述NMOS管二的源極和襯底連接在一起，共同構(gòu)成所述整流電橋電路的輸出的負(fù)極。所述整流電橋電路的一個輸入端同時連接到所述PMOS管一的源極、所述PMOS管二的柵極、所述NMOS管一的漏極、和所述NMOS管二的柵極，所述整流電橋電路的另一個輸入端同時連接到所述PMOS管二的源極、所述PMOS管一的柵極、所述NMOS管二的漏極、和所述NMOS管一的柵極。

上述技術(shù)方案的好處在于：一方面，MOS管上的壓降取決于MOS管的溝道開啟閾值電壓，因此，選擇具有較低開啟閾值電壓的MOS管即可降低整流電橋電路的輸入端和輸出端的壓差，從而提高了整流電橋電路輸入能量的有效利用率。另一方面，MOS管在集成時，允許串聯(lián)使用，降低了芯片設(shè)計(jì)對集成工藝的依賴性。

作為本實(shí)用新型的另一種方案，所述整流電橋電路還包含兩個二極管，兩個所述二極管的陽極分別連接所述整流電橋電路的兩個輸入端；兩個所述二極管的陰極彼此相連，并同時連接到兩個所述PMOS管各自的漏極和襯底。

上述技術(shù)方案的好處在于：一方面，兩個二極管的陽極分別與兩個PMOS管的源極連接，兩個二極管的陰極同時連接到兩個PMOS管的漏極和襯底，利用正向二極管加速建立過程；另一方面，限制上述PMOS管的源極和襯底之間的最大壓降為二極管壓降，從而在PMOS溝道建立之初、襯底電壓為低時，減少了流過PMOS管源極和襯底間的正向PN結(jié)中的電流，進(jìn)而保護(hù)了PMOS管不被擊穿。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)整流電橋電路的一種實(shí)現(xiàn)方式；

圖2為本實(shí)用新型采用MOS管構(gòu)成整流電橋的一種實(shí)現(xiàn)方式；

圖3為本實(shí)用新型采用MOS管和二極管構(gòu)成整流電橋的一種實(shí)現(xiàn)方式。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

如圖2，整流電橋電路100包含兩個PMOS管、和兩個NMOS管。其中，PMOS管101的漏極和襯底、PMOS管102的漏極和襯底連接在一起，共同構(gòu)成整流電橋電路100的輸出的正極；NMOS管111的源極和襯底、NMOS管112的源極和襯底連接在一起，共同構(gòu)成整流電橋電路100的輸出的負(fù)極。整流電橋電路100的一個輸入端同時連接到PMOS管101的源極、PMOS管102的柵極、NMOS管111的漏極、和NMOS管112的柵極；整流電橋電路100的另一個輸入端同時連接到PMOS管102的源極、PMOS管101的柵極、NMOS管112的漏極、和NMOS管111的柵極。