[實用新型]調壓器、低噪聲模塊和衛星接收系統無效
| 申請號: | 200820112159.2 | 申請日: | 2008-05-04 |
| 公開(公告)號: | CN201533241U | 公開(公告)日: | 2010-07-21 |
| 發明(設計)人: | 戴維·布萊德博瑞 | 申請(專利權)人: | 賽特克斯半導體公司 |
| 主分類號: | H02M3/10 | 分類號: | H02M3/10;H02M3/155 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
| 地址: | 英國奧*** | 國省代碼: | 英國;GB |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調壓器 噪聲 模塊 衛星 接收 系統 | ||
1.一種調壓器,其特征在于,包括:
輸入端,連接到以某一供電電壓供電的電源;
輸出端,連接負載,以經過調整的電壓向負載供電;
第一電容器,包括相應的第一和第二電極;
第二電容器,包括相應的第一和第二電極;
調整裝置,從輸入端向每個所述電容器提供相應經過調整的充電電流;
開關裝置,選擇性地連接第一電容器的第一電極以接收所述的相應經過調整的充電電流,或連接至輸出端,選擇性地將第一電容器的第二電極連接至輸出端或地,選擇性地連接第二電容器的第一電極以接收所述的相應經過調整的充電電流,或連接至輸出端,并選擇性地將第二電容器的第二電極連接至輸出端或地;以及
開關控制裝置,控制所述開關裝置在第一配置和第二配置間交替,在第一配置中,第一電容器的第一電極被連接成接收所述的相應經過調整的充電電流,并且第一電容器的第二電極和第二電容器的第一電極的每一個被連接至輸出端,而第二電容器的第二電極接地;在第二配置中,第二電容器的第一電極被連接成接收所述的相應經過調整的充電電流,并且第二電容器的第二電極和第一電容器的第一電極的每一個被連接至輸出端,而第一電容器的第二電極接地,
其中調整裝置包括至少一個器件,可通過該至少一個器件將相應充電電流的至少一部分提供給至少一個電容器,可以用控制信號對該至少一個器件進行控制,以對流經該至少一個器件的電流加以調整,該調整裝置還包括控制信號提供裝置,它被連接至輸出端,并向所述至少一個器件提供所述控制信號,所述控制信號取決于輸出端的電壓,以便可以根據輸出端的電壓來調整流經該至少一個器件的電流。
2.根據權利要求1所述的調壓器,其特征在于,所述控制信號提供裝置包括低通濾波器。
3.根據權利要求1所述的調壓器,其特征在于,所述控制信號提供裝置包括:
連接在輸出端和地之間的分壓器;
運算放大器,反相輸入通過低通濾波器連接至分壓器的輸出;以及
參考電壓源,連接在運算放大器的非反相輸入和地之間。
4.根據權利要求3所述的調壓器,其特征在于,所述控制信號是運算放大器輸出端所提供的控制電壓。
5.根據權利要求1所述的調壓器,其特征在于,還包括連接在輸入端和地之間的輸入電容器以及連接在輸出端和地之間的輸出電容器。
6.根據權利要求1所述的調壓器,其特征在于,還包括連接在調整裝置的輸出和地之間的調壓電容器。
7.根據權利要求1所述的調壓器,其特征在于,所述器件是場效應晶體管,所述控制信號是提供給場效應晶體管的柵極的控制電壓。
8.根據權利要求1所述的調壓器,其特征在于,調整裝置包括單一的所述器件,該單一器件向第一和第二電容器傳送充電電流。
9.根據權利要求8所述的調壓器,其特征在于,所述單一器件是場效應晶體管,其漏極連接至輸入端,柵極被連接成接收所述控制信號,并且開關裝置和開關控制裝置被布置成在所述第一配置的情況下,第一電容器的第一電極連接至所述場效應晶體管的源極,在所述第二配置的情況下,第二電容器的第一電極連接至所述場效應晶體管的源極。
10.根據權利要求1至7中之一所述的調壓器,其特征在于,調整裝置包括第一所述器件和第二所述器件,用第一控制信號對所述第一器件進行控制,以調整從輸入端供應給第一電容器的充電電流,并且用第二控制信號對所述第二器件進行控制,以調整從輸入端供應給第二電容器的充電電流,控制信號供應裝置分別向第一和第二器件提供所述第一和第二控制信號。
11.根據權利要求10所述的調壓器,其特征在于,第一器件是漏極連接至輸入端、源極連接至第一電容器的第一電極的第一場效應晶體管,第二器件是漏極連接至輸入端、源極連接至第二電容器的第一電極的第二場效應晶體管。
12.根據權利要求11所述的調壓器,其特征在于,開關控制裝置和控制信號裝置被布置成在所述第一配置的情況下,將控制電壓施加于第一場效應晶體管的柵極,以向第一電容器提供根據輸出電壓調整過的充電電流,而不導通第二場效應晶體管,以及在所述第二配置的情況下,將控制電壓施加于第二場效應晶體管的柵極,以向第二電容器提供根據輸出電壓調整過的充電電流,而不導通第一場效應晶體管。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于賽特克斯半導體公司,未經賽特克斯半導體公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200820112159.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





