[實用新型]一種防反插電路有效
| 申請號: | 200820107945.3 | 申請日: | 2008-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN201174586Y | 公開(公告)日: | 2008-12-31 |
| 發明(設計)人: | 洪建明;郝琳琳 | 申請(專利權)人: | 杭州華三通信技術有限公司 |
| 主分類號: | H02H7/10 | 分類號: | H02H7/10;H04Q1/14 |
| 代理公司: | 北京挺立專利事務所 | 代理人: | 葉樹明 |
| 地址: | 310053浙江省杭州市高新技術產業*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 防反 電路 | ||
技術領域
本實用新型涉及通信技術領域,尤其涉及一種防反插電路。
背景技術
隨著電信設備等領域中,直流輸入和Hot?Swap(熱插拔)技術的廣泛應用和發展,為避免電壓極性接反造成的毀滅性破壞,防反插技術也被廣泛的應用。現在技術中常用的直流防反插方案主要包括兩種:
(1)結構防反插:結構防反插的應用非常廣泛,主要通過結構設計避免實際應用中極性接反的情況,從而達到防反插的效果;
(2)在電流回路中串聯單向導通的二極管:該方法也比較廣泛,用于通過二極管的單向導通特性保證極性接反的情況下能夠切斷電流回路,從而達到防反插的效果。
現有技術中的上述直流防反插方案在實現方式分別存在以下問題:
對于結構防反插方案,在結構件楷模鑄造需要花去較多的成本,且在某些大電流應用中實現會帶來較多的困難。對于在電流回路中串聯單向導通的二極管的方案,目前常用的二極管導通壓降較大,會浪費較多的功耗,因襲高耐壓二極管會帶來很高的成本和更高的壓降,導致成本,功耗浪費和散熱等一系列的問題。
實用新型內容
本實用新型提供一種防反插電路,用于實現低功耗、低成本的防反插電路。
為達到上述目的,本實用新型提供一種防反插電路的裝置,包括:
電源接口,用于分別與外接電源的正極和負極連接,為受電電路供電;
至少一個金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET,位于所述電源接口與受電電路之間,所述電源接口與外接電源正極和負極正確連接時,所述MOSFET開啟,使得外接電源通過所述電源接口為受電電路供電;所述電源接口與外接直流電源正極和負極反向連接時,所述MOSFET關閉,斷開所述電源接口與受電電路之間的連接。
其中,還包括:第一電阻以及第二電阻,所述第一電阻以及第二電阻跨接于所述電源接口的正極和負極之間,通過調整所述第一電阻以及第二電阻的值,調整所述MOSFET上源S極與柵G極之間的電壓。
其中,所述防反插電路使用的MOSFET中不存在寄生二極管時,所述MOSFET的數量為至少一個,
所述MOSFET為N溝道MOSFET時,所述MOSFET的源S極與所述電源接口的負極連接,所述MOSFET的漏D極與受電電路連接,所述MOSFET的門G極與所述第一電阻以及第二電阻之間的電路連接;
所述MOSFET為P溝道MOSFET時,所述MOSFET的源S極與所述電源接口的正極連接,所述MOSFET的漏D極與受電電路連接,所述MOSFET的門G極與所述第一電阻以及第二電阻之間的電路連接。
其中,所述防反插電路使用的MOSFET中存在寄生二極管時,所述MOSFET的數量為至少兩個,分別為第一MOSFET和第二MOSFET,所述第一MOSFET和第二MOSFET對稱放置。
其中,所述第一MOSFET和第二MOSFET為N溝道MOSFET時,所述第一MOSFET的源S極和第二MOSFET的源S極互連,所述第一MOSFET的門G極、以及第二MOSFET的門G極與所述第一電阻以及第二電阻之間的電路連接,所述第一MOSFET的漏D極與負極連接,所述第二MOSFET的漏D極與受電電路連接;
所述第一MOSFET和第二MOSFET為P溝道MOSFET時,所述第一MOSFET的源S極和第一MOSFET的源S極互連,所述第一MOSFET的門G極、以及第二MOSFET的門G極與所述第一電阻以及第二電阻之間的電路連接,所述第一MOSFET的漏D極與正極連接,所述第二MOSFET的漏D極與受電電路連接。
其中,所述防反插電路中還包括位于所述電源接口與受電電路之間的緩啟動電路時,所述防反插電路中至少包括一個MOSFET,所述MOSFET與所述緩啟動電路中的MOSFET類型相同,且對稱放置。
其中,所述MOSFET和緩啟動電路中MOSFET為N溝道MOSFET時,所述MOSFET的源S極和所述緩啟動電路中MOSFET的源S極互連,所述MOSFET的門G極與所述第一電阻以及第二電阻之間的電路連接,所述MOSFET的漏D極與負極連接,所述緩啟動電路中MOSFET的漏D極與受電電路連接;
所述MOSFET和緩啟動電路中MOSFET為P溝道MOSFET時,所述MOSFET的源S極和所述緩啟動電路中MOSFET的源S極互連,所述MOSFET的門G極與所述第一電阻以及第二電阻之間的電路連接,所述MOSFET的漏D極與正極連接,所述緩啟動電路中MOSFET的漏D極與受電電路連接。
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