[實用新型]一種可控硅控制電路有效
| 申請號： | 200820096147.5 | 申請日： | 2008-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN201266915Y | 公開（公告）日： | 2009-07-01 |
| 發明（設計）人： | 王勇;董曉勇;劉建偉;汪顯方;白清利 | 申請（專利權）人： | 深圳和而泰智能控制股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/72 | 分類號： | H03K17/72 |
| 代理公司： | 深圳市順天達專利商標代理有限公司 | 代理人： | 易 釗 |
| 地址： | 518000廣東省深圳市南山區高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 可控硅 控制電路 | ||
【權利要求書】：
1、一種可控硅控制電路，包括雙向可控硅，其特征在于，所述可控硅的觸發端與MCU輸入/輸出口之間連接有電容C1，可控硅的觸發端與地之間還連接有二極管D1，所述二極管D1的正極與可控硅的觸發端相連、負極與地相連。
2、根據權利要求1所述的可控硅控制電路，其特征在于，在所述MCU輸入/輸出口與電容C1之間還連接有限流電阻R1。
3、根據權利要求2所述的可控硅控制電路，其特征在于，所述C1的電容值為1微法，所述電阻R1的阻值為100歐姆。
4、根據權利要求1所述的可控硅控制電路，其特征在于，在所述可控硅的觸發端與地之間還連接有抗干擾電阻R2。
5、根據權利要求4所述的可控硅控制電路，其特征在于，所述電阻R2的阻值為1K-10K歐姆。
6、根據權利要求5所述的可控硅控制電路，其特征在于，所述電阻R2的阻值為10K歐姆。
7、根據權利要求1—6中任何一項所述的可控硅控制電路，其特征在于，所述述二極管D1的型號為IN4148。
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