[實用新型]一種大功率多LED芯片的封裝結構

有效

• 申請號: 200820095226.4
• 申請日: 2008-06-25
• 公開（公告）號: CN201233892Y
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: 黃少威
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L25/075;H01L23/488
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種大功率多LED芯片的封裝結構，包括外殼，金線，復數個LED芯片，設置在外殼內用于安放所述LED芯片的復數個碗杯凹槽；每個碗杯凹槽內安放一個LED芯片，LED芯片至少有一個是單電極垂直結構LED芯片，其特征在于：碗杯凹槽是分立且彼此間相互絕緣的，所述單電極垂直結構LED芯片的下電極通過安放所述單電極垂直結構LED芯片的碗杯凹槽間接與金線電連接，LED芯片的上電極通過金線引出。

2.如權利要求1所述大功率多LED芯片的封裝結構，其特征在于：所述的外殼上還設置有金屬電極，所述金屬電極通過金線與LED芯片的一個電極電連接。

3.如權利要求1或2所述大功率多LED芯片的封裝結構，其特征在于：所述的金線是含有金元素的導線，直徑在25.4微米-38.1微米之間。

4.如權利要求2所述大功率多LED芯片的封裝結構，其特征在于：所述的LED芯片間的電連接是串聯電連接。

5.如權利要求2所述大功率多LED芯片的封裝結構，其特征在于：所述的LED芯片間的電連接是并聯電連接。

6.如權利要求2所述大功率多LED芯片的封裝結構，其特征在于：所述的LED芯片間的電連接是串并聯混聯電連接。

7.如權利要求4至6任一所述的大功率多LED芯片的封裝結構，其特征在于：所述的多個LED芯片中，一部分是單電極垂直結構的LED芯片，另一部分是雙電極水平結構的LED芯片，所述雙電極水平結構的LED芯片的兩個電極分別通過金線引出。

8.如權利要求4至6任一所述的大功率多LED芯片的封裝結構，其特征在于：所述的多個LED芯片是單電極垂直結構的LED芯片。

9.如權利要求1所述的大功率多LED芯片的封裝結構，其特征在于：所述碗杯直接連接有散熱裝置。