[實用新型]開關式多BIOS選擇電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200820092567.6 | 申請日: | 2008-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN201159889Y | 公開(公告)日: | 2008-12-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 區(qū)展鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 泰輝電子(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/00 | 分類號: | G06F11/00 |
| 代理公司: | 深圳市精英專利事務所 | 代理人: | 李新林 |
| 地址: | 518000廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開關 bios 選擇 電路 | ||
技術領域:
本實用新型涉及計算機顯卡應用技術,特別是一種開關式多BIOS選擇電路。
背景技術:
隨著計算機技術的快速發(fā)展,用戶對計算機硬件的要求也越來越高,尤其是一些游戲玩家對顯卡提出了更高的要求,經(jīng)常通過顯卡超頻來滿足需要,而超頻不當則可能造成顯卡不穩(wěn)定,花機,甚至無法正常開機,從而使顯卡的性能無法更好的發(fā)揮。
為此,一些生產(chǎn)廠家在顯卡上集成了兩個BIOS芯片,以滿足用戶的超頻要求,然而這兩個BIOS芯片都可以刷新,一旦資料丟失,將導致計算機無法正常工作,而且在二者之間切換時需要通過手動撥動選擇開關,操作十分不便。
發(fā)明內(nèi)容:
為此,本實用新型的目的在于提供一種開關式多BIOS選擇電路,該電路包括一個BIOS存儲芯片和至少一個可讀寫B(tài)IOS芯片,二者之間可通過BIOS選擇電路進行選擇,大大提高了顯卡的工作穩(wěn)定性。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型主要采用以下技術方案:
一種開關式多BIOS選擇電路,包括一個BIOS可讀不可寫芯片U55和至少一個BIOS可讀寫芯片U54,所述BIOS可讀不可寫芯片U55和BIOS可讀寫芯片U54與BIOS選擇鎖定電路連接,所述BIOS選擇鎖定電路通過BIOS切換電路與主板輸入控制信號RESET連接。
其中所述BIOS選擇鎖定電路包括芯片U113和J6,所述BIOS可讀不可寫芯片U55和BIOS可讀寫芯片U54的5腳、2腳和6腳通過GPU-GPIO與芯片U113的14腳連接,所述U55的1腳與U113的5腳連接,所述U54的1腳與U113的4腳連接。
其中所述J6與BIOS切換電路連接,所述BIOS切換電路包括與門電路U114A、U114B和門電路U115A、U115B、U116A、U116B,并通過該切換電路與主板輸入控制信號RESET連接。
本實用新型在電腦顯卡上設置了一個BIOS可讀不可寫芯片和至少一個BIOS可讀寫芯片,從而使用戶在顯卡超頻失敗或者顯卡不穩(wěn)定而導致無法開機的情況下,能夠通過電腦RESET按鍵之間進行BIOS芯片之間的切換,實現(xiàn)對可讀寫B(tài)IOS芯片的數(shù)據(jù)恢復,整個操作過程簡單方便。
附圖說明:
圖1為本實用新型電路原理圖。
具體實施方式:
為闡述本實用新型的目的及技術效果,下面將結(jié)合電路圖和具體實施例對本實用新型做進一步詳細說明。
請參見圖1所示,本實用新型以兩個BIOS存儲FLASH芯片為例進行說明,本方案電路主要由兩個BIOS存儲FLASH芯片和BIOS選擇鎖定電路、兩個BIOS之間的切換電路組成,其中U55為BIOS可讀不可寫FLASH芯片,U54為BIOS可讀寫FLASH芯片,這兩個芯片主要用于存儲資料,所述U55與U54通過GPU-GPIO與BIOS選擇鎖定電路連接。
所述BIOS選擇鎖定電路主要包括有包括芯片U113和J6,其中芯片U113用于BIOS選擇和加鎖,所述BIOS可讀不可寫芯片U55和BIOS可讀寫芯片U54的5腳、2腳和6腳通過GPU-GPIO與芯片U113的14腳連接,所述U55的1腳與U113的5腳連接,所述U54的1腳與U113的4腳連接。芯片U113的引腳15則通過芯片J6與兩個BIOS之間的切換電路連接。
其中所述兩個BIOS之間的切換電路主要包括有門電路U114A、U114B和門電路U115A、U115B、U116A、U116B,并通過該切換電路與主板輸入控制信號RESET連接。通過以上芯片可實現(xiàn)兩個BIOS之間的切換。
下面將結(jié)合電路對本實用新型的工作原理進行說明。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于泰輝電子(深圳)有限公司,未經(jīng)泰輝電子(深圳)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200820092567.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:砷化鎵晶體生長用熱場裝置
- 下一篇:無電磁輻射干擾的熱陰極熒光燈臺燈





