[實用新型]一種用于電壓跌落檢測的鎖存器無效
| 申請號: | 200820088150.2 | 申請日: | 2008-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN201210175Y | 公開(公告)日: | 2009-03-18 |
| 發明(設計)人: | 王世武;龔依民 | 申請(專利權)人: | 浙江西盈科技有限公司 |
| 主分類號: | G01R19/165 | 分類號: | G01R19/165 |
| 代理公司: | 杭州九洲專利事務所有限公司 | 代理人: | 王洪新 |
| 地址: | 311300*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 電壓 跌落 檢測 鎖存器 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種電流控制電路中的信號檢測電路,具體是對電壓信號進行檢測、并且對檢測結果進行輸出、鎖存和鎖存解除的電路。
背景技術
近年來,基于微處理器控制的電力敏感設備已經廣泛應用于工業生產和日常生活中;而電壓跌落會影響它們的正常工作,給用戶帶來經濟損失。對于現有的各種電力設備配置的保護電路而言,實時檢測出電源電壓跌落并采用相應措施是其中的一項重要任務。
目前檢測電壓跌落情況,一般采用專門的鎖存器IC,或者利用其他數字電路實現。但是這些電路存在以下一些問題:
1、需要專門的電路,提高了設計和制造成本。
2、解鎖控制信號不能隔離直流,易造成誤動作使保護失效。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是提供一種信號檢測電路的改進,該電路應能克服上述背景技術的不足,具有運行可靠、抗干擾的特點,并且成本較低。
本實用新型提供的技術方案是:
一種用于電壓跌落檢測的鎖存器,在電壓比較器IC1A的“+”、“—”輸入端分別接入被測電壓J4和電壓基準電路,電壓比較器IC1A的“—”輸入端還同時接入一解鎖電路和鎖存電路;電壓比較器IC1A的輸出端輸出檢測結果;所述的鎖存電路的控制端接通電壓比較器IC1A的輸出端;所述的鎖存電路還驅動一鎖存輸出電路以輸出鎖存結果。
所述電壓基準電路中,參考電壓Vref通過電阻R9和電阻R3組成的分壓電路提供給電壓比較器IC1A。
所述解鎖電路中:電阻R5、電容C1和反向接入的二極管D1串聯接入,電容C1和二極管D1之間的連接線還通過電阻R6接地。
所述鎖存電路中:電路電壓VCC依次通過三極管Q1的集電極和發射極以及電阻R4接入電壓比較器IC1A的“—”輸入端,電路電壓VCC又依次通過電阻R8、電阻R1加到三極管Q1的基極;電阻R8與電阻R1之間的連接線還接通電壓比較器IC1A的輸出端,以便控制鎖存電路的開或關。
所述鎖存輸出電路中:三極管Q1與電阻R4之間的連接線接通三極管Q2的基極,三極管Q2的集電極和發射極分別作為鎖存結果輸出端以及接地端。
三極管Q1與電阻R4之間的連接線還通過電阻R2接通三極管Q2的基極。
本實用新型的工作原理是:
當被測電壓高于參考電壓時,檢測結果輸出高電平,鎖存結果輸出高阻態。
當被測電壓J4跌落,低于電壓比較器IC1A的“—”輸入端電壓時,電壓比較器IC1A輸出端電壓J1(檢測結果輸出)變為0V。經過電阻R1,三極管Q1導通,電阻R4的上端變成高電平,經過電阻R4、R3和R9的分壓,電壓比較器IC1A的“—”輸入端電平被拉高。同時,經過電阻R2,三極管Q2導通,輸出端電壓J1(鎖存結果輸出)為低阻態。
因為“—”輸入端電平被拉高,即使被測電壓再次升高,也不能高于電壓比較器IC1A的“—”輸入端電平,電壓比較器IC1A輸出(檢測結果輸出)會一直保持0V。
解鎖操作時,解鎖信號J3的下降沿會在電容器C1和二極管D1上形成向左的電流,造成電壓比較器IC1A的“—”輸入端電壓下降,低于其“+”輸入端的被測電壓信號,電壓比較器IC1A輸出(檢測結果輸出)變為高電平;并通過電阻R1,三極管Q1截止,電阻R4的上端變為低電平,電壓比較器IC1A的“—”輸入端電平恢復到原來的電壓。同時,經過電阻R2,三極管Q2截止,鎖存結果J2輸出高阻態。
本實用新型提供的鎖存器,能夠準確靈敏地感知電源電壓的動態變化,及時檢測捕捉電壓跌落信號,而且解鎖信號通過隔離直流實現,隔離了其他電路失效造成的干擾,避免了電路失控造成的損失,提高了電路可靠性,能夠有效地用于過電流的保護。另外,由于采用的元器件顯著減少,所以制造成本有較大幅度的下降。
附圖說明
圖1是本實用新型的電路結構示意圖。
圖2是本實用新型的電路方框結構示意圖。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江西盈科技有限公司,未經浙江西盈科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200820088150.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:在半導體元件中形成隔離層的方法
- 下一篇:有機發光顯示器修復方法





