[實(shí)用新型]一種虛擬儀器控制的四電極法電導(dǎo)率測(cè)試裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200820080450.6 | 申請(qǐng)日: | 2008-05-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201203649Y | 公開(公告)日: | 2009-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭福;邰楓;劉朋;高原;夏志東;雷永平;史耀武 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01R27/02 | 分類號(hào): | G01R27/02 |
| 代理公司: | 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 劉萍 |
| 地址: | 100124*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 虛擬儀器 控制 電極 電導(dǎo)率 測(cè)試 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本裝置屬于材料性能測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,特別適用于半導(dǎo)體以及微電子封裝材料等材料電導(dǎo)率測(cè)試。
背景技術(shù)
材料的電導(dǎo)率是研究和評(píng)定材料性能極為重要的一部分,特別是半導(dǎo)體類材料以及微電子封裝材料。半導(dǎo)體材料主要是因?yàn)閾诫s不同濃度和種類的粒子來(lái)改變材料的導(dǎo)電率,從而實(shí)現(xiàn)其功能,電導(dǎo)率的變化是評(píng)價(jià)其性能的重要手段,但是摻雜粒子后電導(dǎo)率的變化非常小,而找出一種簡(jiǎn)便、高效同時(shí)具有高的可信度的測(cè)試方法是非常重要的。為電子封裝材料在服役過(guò)程中,由于不同的服役環(huán)境作用而使其電氣性能發(fā)生變化,通過(guò)測(cè)量其電導(dǎo)率的變化情況得到其可靠性的評(píng)估數(shù)據(jù)也是非常重要的,但是在為電子封裝材料本身尺寸非常小,其電導(dǎo)率的變化更小,并且其形狀、尺寸也不盡相同,所以也需要一種簡(jiǎn)便、高效同時(shí)具有高的可靠性的測(cè)試方法。
中國(guó)科學(xué)院成都分院土壤研究室專利(90212551.6)提供了一種田間土壤電導(dǎo)率直接測(cè)定裝置,也適用于實(shí)驗(yàn)室溶液、純水等液體電導(dǎo)率測(cè)定的電導(dǎo)率儀,但該電導(dǎo)率儀主要土壤以及液體,且所測(cè)量的對(duì)象電阻率一般比較大,電極需要插入待測(cè)樣品,不適用于精確測(cè)量;西安電瓷研究所發(fā)明了一種污層電導(dǎo)率測(cè)量裝置(85200823)。該污層電導(dǎo)率測(cè)量裝置屬于電氣工程領(lǐng)域,用于高壓電力設(shè)備外絕緣污穢層濕潤(rùn)條件下的電導(dǎo)率的測(cè)量,應(yīng)用范圍具有核大的局限性,并且數(shù)據(jù)僅僅是顯示,而不能采集到計(jì)算機(jī)進(jìn)行科學(xué)處理;FURUKAWAH專利JP2005291914-A提供了一種自動(dòng)售貨機(jī)用的電導(dǎo)率傳感器。該裝置主要用來(lái)測(cè)量循環(huán)液體的電導(dǎo)率,而不適用于半導(dǎo)體及微電子封裝材料。
由于缺乏合適的適應(yīng)各種形狀、尺寸的材料電阻微小變化以及數(shù)據(jù)自動(dòng)科學(xué)處理的裝置,在國(guó)內(nèi),還沒(méi)有對(duì)不同形狀和尺寸的材料電阻率精確測(cè)量以及數(shù)據(jù)自動(dòng)科學(xué)處理的裝置。實(shí)際上,對(duì)于微小電阻變化的測(cè)量過(guò)程中,接觸電阻遠(yuǎn)大于所測(cè)電阻,而采用比較成熟的四電極法測(cè)量就很好的避免了接觸電阻堆測(cè)量結(jié)果的影響,測(cè)量結(jié)果更具可信性;同時(shí)對(duì)于科學(xué)實(shí)驗(yàn)而言,數(shù)據(jù)的采集與自動(dòng)處理是非常重要的,采用LabVIEWTM虛擬儀器軟件,配合通用接口總線控制卡,可以很好地實(shí)現(xiàn)這種功能;同時(shí)采用X-Y-Z三維移動(dòng)平臺(tái),可以更好的適應(yīng)不同形狀、不同尺寸的待測(cè)樣品的要求。因此,開發(fā)和研制虛擬儀器控制的四電極法電導(dǎo)率測(cè)試裝置,精確測(cè)量測(cè)定半導(dǎo)體類材料以及微電子封裝材料的電阻率,對(duì)正確評(píng)估半導(dǎo)體以及為電子封裝材料的電學(xué)性能具有十分重要的意義。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型主要針對(duì)半導(dǎo)體以及微電子封裝材料等材料電導(dǎo)率測(cè)試而設(shè)計(jì),適用于室溫條件下的電導(dǎo)率的測(cè)量。
本虛擬儀器控制的四電極法電導(dǎo)率測(cè)試裝置,其特征在于,它由硬件測(cè)試平臺(tái)和虛擬儀器軟件控制平臺(tái)兩大部分構(gòu)成,其中硬件測(cè)試平臺(tái)由X-Y-Z三維移動(dòng)平臺(tái)、垂直電極支撐平臺(tái)、水平電極支撐載物平臺(tái)以及彈簧電極構(gòu)成,虛擬儀器控制平臺(tái)主要包括電壓表、電流源表、通用接口總線控制卡和計(jì)算機(jī)。待測(cè)樣品安放在水平電極支撐載物平臺(tái)上表面,同時(shí)由兩個(gè)水平彈簧電極夾持住端面;垂直彈簧電極固定在垂直電極支撐平臺(tái)上,從垂直方向與待測(cè)樣品保持緊密接觸;垂直電極支撐平臺(tái)通過(guò)螺釘固定在X-Y-Z三維移動(dòng)平臺(tái)的豎直移動(dòng)模塊上,并由豎直移動(dòng)模塊帶動(dòng)使之在X-Y-Z三維方向上移動(dòng),以滿足不同形狀和尺寸樣品的要求。同時(shí)還在垂直電極支撐平臺(tái)和水平電極支撐載物平臺(tái)上的不同位置鉆孔放置彈簧電極,以在更大變化范圍內(nèi)滿足樣品尺寸的要求。其連接關(guān)系如下:水平和垂直彈簧電極分別通過(guò)導(dǎo)線與電流源表以及電壓表相連,電壓表與電流源表之間通過(guò)觸發(fā)電纜連接,并分別通過(guò)通用接口總線電纜與連在計(jì)算機(jī)上的通用接口總線控制卡連接在一起。計(jì)算機(jī)中通用接口總線控制卡通過(guò)電壓表與電流源表采集實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
本實(shí)用新型裝置的垂直電極支撐平臺(tái)和水平電極支撐載物平臺(tái)特點(diǎn)在于可以通過(guò)變換不同的彈簧電極接入點(diǎn)改變電極之間的距離,適應(yīng)不同尺寸的樣品的要求,同時(shí)彈簧電極的使用不僅可以更好的夾緊樣品,同時(shí)可以在小范圍內(nèi)調(diào)節(jié)電極與樣品之間的距離,適應(yīng)尺寸變化比較小的樣品。
另外本實(shí)用新型裝置購(gòu)置的X-Y-Z三維移動(dòng)平臺(tái),可以在固定樣品以及測(cè)量間距的情況下,測(cè)量樣品不同位置的電導(dǎo)率的變化;同時(shí)作為可以大范圍移動(dòng)的裝置,能夠?qū)崿F(xiàn)在更大的尺寸范圍測(cè)量樣品的電導(dǎo)率。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京工業(yè)大學(xué),未經(jīng)北京工業(yè)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200820080450.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R27-00 測(cè)量電阻、電抗、阻抗或其派生特性的裝置
G01R27-02 .電阻、電抗、阻抗或其派生的其他兩端特性,例如時(shí)間常數(shù)的實(shí)值或復(fù)值測(cè)量
G01R27-28 .衰減、增益、相移或四端網(wǎng)絡(luò),即雙端對(duì)網(wǎng)絡(luò)的派生特性的測(cè)量;瞬態(tài)響應(yīng)的測(cè)量
G01R27-30 ..具有記錄特性值的設(shè)備,例如通過(guò)繪制尼奎斯特
G01R27-32 ..在具有分布參數(shù)的電路中的測(cè)量
G01R27-04 ..在具有分布常數(shù)的電路中的測(cè)量





