[實用新型]紫外修復機臺有效
| 申請號： | 200820080214.4 | 申請日： | 2008-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN201194218Y | 公開（公告）日： | 2009-02-11 |
| 發明（設計）人： | 劉明源 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/3105;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李麗 |
| 地址： | 100176北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 紫外 修復 機臺 | ||
【權利要求書】：
1.一種紫外修復機臺，包括：反應腔室，所述反應腔室內包括位于底壁用以承載晶片的承載臺，以及位于與底壁相對頂壁上的紫外光源，所述紫外光源具有與其中心平面垂直的第一對稱軸，所述第一對稱軸與垂直于所述晶片中心平面的第二對稱軸重合；其特征在于：所述紫外光源為圓環形紫外光源。
2.根據權利要求1所述的紫外修復機臺，其特征在于：所述紫外光源的數目為至少兩個，與各所述圓環形紫外光源中心平面垂直的第一對稱軸均重合。
3.根據權利要求1所述的紫外修復機臺，其特征在于：所述紫外光源為圓環形紫外點光源組。
4.根據權利要求3所述的紫外修復機臺，其特征在于：所述圓環形紫外點光源組的數目為至少兩個，與各所述圓環形紫外點光源組中心平面垂直的第一對稱軸均重合。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的紫外修復機臺，其特征在于：所述紫外修復機臺還包括使所述紫外光源沿所述第一對稱軸旋轉的第一旋轉機構。
6.根據權利要求1所述的紫外修復機臺，其特征在于：所述紫外修復機臺還包括使所述承載臺沿所述第二對稱軸旋轉的第二旋轉機構。
7.根據權利要求1所述的紫外修復機臺，其特征在于：所述紫外光的波長范圍為260～300納米。
8.根據權利要求1所述的紫外修復機臺，其特征在于：所述紫外修復機臺包含快速熱退火機臺。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
