[實用新型]LCOS像素單元器件結構

無效

• 申請號: 200820074046.8
• 申請日: 2008-03-13
• 公開（公告）號: CN201167094Y
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發明（設計）人: 范義;代永平;范偉
• 申請（專利權）人: 天津力偉創科技有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L23/522;G02F1/1362
• 代理公司: 天津市杰盈專利代理有限公司
• 代理人: 趙慶

1、LCOS像素單元器件結構，包括一個N型阱(4)、一個NMOS管和一個電容器，其特征在于，還包括一個PMOS管，所述的N型阱(4)、NMOS管和PMOS管置于P型硅襯底(13)上，P型硅襯底(13)之上覆蓋第1層絕緣層(16)，第2層絕緣層(18)設置在第1層絕緣層(16)之上，第3層絕緣層(19)設置在第2層絕緣層(18)之上，電容器設置在第3層絕緣層(19)之上。

2、根據權利要求1所述的LCOS像素單元器件結構，其特征在于，所述的NMOS管的漏極(9)、NMOS管的源極(6)、NMOS管的背電極(15)設置在P型硅襯底(13)中，所述的NMOS管的背電極孔塞(17)貫穿第1層絕緣層(16)和第2層絕緣層(18)，地線(5)、地線孔塞(20)設置在第3層絕緣層(19)之中，NMOS管的背電極孔塞(17)連接NMOS管的背電極(15)和地線(5)。

3、根據權利要求1所述的LCOS像素單元器件結構，其特征在于，所述的PMOS管的背電極(1)、PMOS管的漏極(2)、PMOS管的源極(6)設置在N型阱(4)中。

4、根據權利要求1所述的LCOS像素單元器件結構，其特征在于，所述的PMOS管的柵極(3)、NMOS管的柵極(11)設置在第1層絕緣層(16)之中。

5、根據權利要求1所述的LCOS像素單元器件結構，其特征在于，所述的PMOS管的背電極孔塞(25)貫穿第1層絕緣層(16)連接電源線，PMOS管的源極孔塞(7)和NMOS管的漏極孔塞(10)貫穿第1層絕緣層(16)。

6、根據權利要求5所述的LCOS像素單元器件結構，其特征在于，輸入金屬連線(8)設置在第2層絕緣層(18)之中，輸入金屬連線(8)連接PMOS管的源極孔塞(7)和NMOS管的漏極孔塞(10)。

7、根據權利要求1所述的LCOS像素單元器件結構，其特征在于，所述的電容器的絕緣層(23)設置在第3層絕緣層(19)之上，所述的電容器的下電極(22)設置在電容器的絕緣層(23)之中，地線孔塞(20)連接電容器的下電極(22)和地線(5)。

8、根據權利要求1所述的LCOS像素單元器件結構，其特征在于，所述的PMOS管的漏極孔塞(12)貫穿第1層絕緣層(16)、第2層絕緣層(18)、第3層絕緣層(19)，所述的電容器的絕緣層(23)連接到PMOS管的漏極(2)，且所述的NMOS管的源極孔塞(21)貫穿第1層絕緣層(16)、第2層絕緣層(18)、第3層絕緣層(19)、電容器的絕緣層(23)連接到NMOS管的源極(14)。

9、根據權利要求8所述的LCOS像素單元器件結構，其特征在于，所述的電容器的上電極(24)設置在電容器的絕緣層(23)之上，且電容器的上電極(24)連接PMOS管的漏極孔塞(12)和NMOS管的源極孔塞(21)。

10根據權利要求1或7或8或9所述的LCOS像素單元器件結構，其特征在于，所述的電容器的絕緣層(23)厚度是50納米～100納米。