[實用新型]坩堝內加熱加熱爐料裝置

無效

• 申請號: 200820072692.0
• 申請日: 2008-11-03
• 公開（公告）號: CN201289302Y
• 公開（公告）日: 2009-08-12
• 發明（設計）人: 任兵;劉占國;劉碩
• 申請（專利權）人: 長春晶科光電有限公司
• 主分類號: F27B14/14
• 分類號: F27B14/14
• 代理公司: 長春科宇專利代理有限責任公司
• 代理人: 馬守忠

技術領域

本實用新型涉及坩堝內加熱加熱爐料裝置。

背景技術

現在，由MgF₂或SiO₂制備鍍膜材料的制備鍍膜材料的老式制備裝置結構的剖面示意圖，如圖1所示，其由爐體及保溫層15、坩堝6、加熱體7和上蓋8構成；所述的加熱體7置于坩堝6和保溫層15的內層之間，上蓋8置于爐體及保溫層15的上部。所述的加熱體7與和坩堝6的外層及保溫層15的內層之間要有較大的空隙以免造成連電，加熱體7與和坩堝6的外層及保溫層15的內層之間均要有20mm以上較大的空隙。其存在的問題是：加熱體7對裝料坩堝6加熱的同時也對保溫層15的內層加熱，加熱爐料的熱利用率低，造成熱損耗大，浪費能源；由于加熱體使用時占用空間大，加熱爐料裝置的體積也會大，或者，為了保持一定體積就必須把坩堝6的體積縮小，于是就減少裝料，也造成制備材料的效率降低。所以每爐只能制備鍍膜材料20kg-50kg，恒溫耗電功率在3萬瓦左右。

發明內容

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了坩堝內加熱加熱爐料裝置。本實用新型的坩堝內加熱加熱爐料裝置可以使用粉末或顆粒狀的材料，尤其是用MgF₂或SiO₂制備鍍膜材料。該加熱爐料裝置構成的結構剖面示意圖如圖2所示，該裝置由保溫筒1、坩堝2、加熱體3和上蓋4和坩堝蓋5構成；坩堝2置于保溫筒1的里面，所述的坩堝2的底部中間為向內凹進的一個中空的圓柱，該中空的圓柱內置有加熱體3，坩堝蓋5置于坩堝2上部，上蓋4置于保溫筒1的上部并與保溫筒1緊密接觸。

使用時，把原料加入坩堝2里，蓋上坩堝蓋5，再把上蓋4置于保溫筒1的上部并與保溫筒1緊密接觸；通電加溫。得到目標材料后取出即可。

有益效果：本實用新型提供的坩堝內加熱加熱爐料裝置，用MgF₂或SiO₂制備鍍膜材料。本實用新型采用坩堝內加熱的技術方案，由于加熱體幾乎只對坩堝加熱，熱損耗小，熱用率高，升溫速度快；由于加熱體在坩堝的內部，加熱體只對坩堝的內層加熱，熱用率提高了，而且大大降低了加熱體所占用的空間，坩堝容量增大了，裝料量也增加了。在恒溫耗電功率只有3萬瓦左右的條件下，每爐制備的鍍膜材料達100余kg，產量提高兩倍。

附圖說明

圖1是老式制備裝置的結構剖面示意圖。

圖2是本實用新型提供的坩堝內加熱加熱爐料裝置的結構剖面示意圖。其也是摘要附圖。

具體實施方式

實施例1

如圖2所示，該裝置由保溫筒1、坩堝2、加熱體3和上蓋4和坩堝蓋5構成；所述的坩堝2置于保溫筒1的里面支座13、14上，所述的坩堝2的底部中間為向內凹進的一個中空的圓柱，該中空的圓柱內置有加熱體3，所述的坩堝蓋5置于坩堝2上，所述的上蓋4置于保溫筒1的上部并與保溫筒1緊密接觸。

使用時，把原料加入坩堝2里，蓋上坩堝蓋5，再把上蓋4置于保溫筒1的上部并與保溫筒1緊密接觸；通電加溫。得到目標材料后取出即可。

所述的坩堝2的幾何尺寸為：φ400mm，高600mm，上蓋4的幾何尺寸為：φ400mm，加熱體3為3相加熱體，幾何尺寸為：φ90×600mm。

本實用新型采用坩堝內加熱的技術方案，由于加熱體幾乎只對坩堝加熱，熱損耗小，熱用率高，升溫速度快；由于加熱體在坩堝的內部，大大降低了加熱體所占用的爐內空間，坩堝容量可以增大，裝料量增加，在恒溫耗電功率只有3萬瓦左右的條件下，每爐制備鍍膜材料達100kg，產量提高兩倍。