[實用新型]一種新型磁場線圈

無效

• 申請號: 200820067654.6
• 申請日: 2008-06-06
• 公開（公告）號: CN201229820Y
• 公開（公告）日: 2009-04-29
• 發明（設計）人: 王曉峰;程華富;韓曉東;楊敬軒;楊昌茂
• 申請（專利權）人: 中國船舶重工集團公司第七一○研究所
• 主分類號: H01F5/00
• 分類號: H01F5/00;H01F41/04
• 代理公司: 宜昌市三峽專利事務所
• 代理人: 成 鋼

技術領域

本實用新型專利涉及一種對外泄露磁場比較小的磁場線圈。

背景技術

傳統的磁場線圈的功能就是在線圈中心產生所需要的磁場，但線圈在其內部空間產生磁場的同時也對線圈外部產生磁場。線圈在外部產生的磁場稱為泄露磁場。如果在進行一些弱磁測量實驗中，這些泄露磁場會對線圈外部的其它儀器或設備產生影響，尤其是當線圈放在磁屏蔽筒或磁屏蔽室中進行實驗時，泄露磁場會將磁屏蔽筒或磁屏蔽室的外壁磁化。對于最常見的亥姆霍茨線圈來說，在線圈外部的某一點的泄露磁場強度與這一點到線圈中心的距離成反比。

發明內容

本實用新型的目的是提供一種泄露磁場比較小的新型磁場線圈，線圈外部的某一點的泄露磁場強度與這一點到線圈中心的距離的三次方成反比。

本實用新型的目的是這樣實現的：一種新型磁場線圈，其外部是一對尺寸較大的亥姆霍茨線圈，其內部嵌套了一對尺寸較小的亥姆霍茨線圈，兩套亥姆霍茨線圈互相同軸、線圈幾何中心互相重合。外部尺寸較大的亥姆霍茨線圈和內部尺寸較小的亥姆霍茨線圈互相串聯反接。外部亥姆霍茨線圈和內部亥姆霍茨線圈的半徑比和匝數比應符合以下條件：

其匝數比為：N外：N內＝2：1；

其半徑比為：R外：R內＝1.414：1。

本實用新型由于采用了內外線圈互相抵償的結構，使得線圈外部的某一點的泄露磁場強度與這一點到線圈中心的距離的三次方成反比，大大減小了泄露磁場。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，本實用新型采用兩套亥姆霍茨線圈組合而成的結構形式：其外部是一對尺寸較大的亥姆霍茨線圈1，其內部嵌套了一對尺寸較小的亥姆霍茨線圈2，兩套亥姆霍茨線圈互相同軸、線圈幾何中心互相重合。

外部較大的亥姆霍茨線圈1和內部尺寸較小的亥姆霍茨線圈2互相串聯反接，使得它們所產生的磁場方向相反、互相抵償。

兩套亥姆霍茨線圈所產生的磁場相反，而且其匝數和半徑關系必須同時滿足以下兩個條件：

其匝數比為：N_外：N_內＝2：1；

其半徑比為：R_外：R_內＝1.414：1。