[實用新型]音頻功放電路有效
| 申請號: | 200820059921.5 | 申請日: | 2008-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN201226506Y | 公開(公告)日: | 2009-04-22 |
| 發明(設計)人: | 張宇鋒;曾泉 | 申請(專利權)人: | 上海韋矽微電子有限公司 |
| 主分類號: | H03F3/20 | 分類號: | H03F3/20;H03F1/30 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人: | 薛 琦;朱水平 |
| 地址: | 200001上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 音頻 功放 電路 | ||
1、一種音頻功放電路,其包括一第一功率放大器和一第二功率放大器,該第一功率放大器和第二功率放大器的正輸入端共同連接一抑制電阻的一端,該抑制電阻的另一端與一第一電阻和一第二電阻連接,該第一電阻和一第二電阻之間并聯連接,其特征在于,該第一電阻、第二電阻和抑制電阻之間串聯一MOS管。
2、如權利要求1所述的音頻功放電路,其特征在于,該MOS管的寬度和長度之比滿足以下公式:
其中,W和L分別為MOS管的寬度和長度,μpCox為溝道長度調制系數,VGS為柵-源電壓,Vth為閾值電壓,R為MOS管的電阻值。
3、如權利要求1所述的音頻功放電路,其特征在于,該MOS管為一PMOS管。
4、如權利要求3所述的音頻功放電路,其特征在于,該PMOS管的柵極接地,漏極連接抑制電阻,襯底和源極與第一電阻和第二電阻連接。
5、如權利要求1所述的音頻功放電路,其特征在于,該MOS管為一NMOS管。
6、如權利要求5所述的音頻功放電路,其特征在于,該NMOS管的柵極連接一電源端,漏極連接抑制電阻,襯底接地,源極與第一電阻和第二電阻連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海韋矽微電子有限公司,未經上海韋矽微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200820059921.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





