[實用新型]電光控制二維激光光束掃描陣列

無效

• 申請號: 200820058690.6
• 申請日: 2008-05-21
• 公開（公告）號: CN201203740Y
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發明（設計）人: 職亞楠;閆愛民;劉德安;周煜;孫建鋒;劉立人
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: G02F1/29
• 分類號: G02F1/29;G02F1/03
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司
• 代理人: 張澤純

1、一種電光控制二維激光光束掃描陣列，其特征是由控制陣列和發射陣列兩部分組成，所述的控制陣列是單列的N個電光開關單元構成，所述的發射陣列的結構是由NxM電光開關單元構成的N行M列的矩陣結構，形成N+NxM光束掃描陣列，其中N和M是大于1的正整數，所述的電光開關單元由兩個光軸方向不同的第一晶體和第二晶體組合而成：入射光方向沿第一晶體的光軸前進，在第一晶體垂直于光軸的兩相對的表面鍍金屬電極對，以便給該晶體施加橫向半波電壓；第二晶體為體全息光柵。

2、根據權利要求1所述的電光控制二維激光光束掃描陣列，其特征是所述的電光開關單元由兩個光軸方向不同的鈮酸鋰晶體組合而成，第一晶體為表面鍍金屬電極對的純凈鈮酸鋰晶體，所述的第二晶體具有體全息光柵的雙摻雜鈮酸鋰晶體，所述的第二晶體的光軸與第一晶體的光軸偏轉45°。

3、根據權利要求1所述的電光控制二維激光光束掃描陣列，其特征是所述的雙摻雜鈮酸鋰晶體是LiNb?O₃:Ce:Cu、LiNbO₃:Ce:Mn或LiNbO₃:Fe:Mn晶體。

4、根據權利要求1至3任一項所述的電光控制二維激光光束掃描陣列，其特征是所述的發射陣列的第二晶體的出射面設置傾角θ，則光束的輸出角度為θ_out：

θ_out＝arcsin^-1(n_esinθ)-θ，式中n_e為晶體的非常光折射率。