[實(shí)用新型]一種高導(dǎo)通電壓正裝LED集成芯片

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200820051161.3
• 申請日: 2008-07-23
• 公開（公告）號: CN201262957Y
• 公開（公告）日: 2009-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳俊緯
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州南科集成電子有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L23/36;H01L23/488
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種高導(dǎo)通電壓正裝LED集成芯片，包括若干個(gè)LED裸芯片(1)和硅襯底(2)，所述LED裸芯片(1)包括襯底(10)和N型外延層(11)、P型外延層(12)，其特征在于：所述硅襯底(2)的正面生成有導(dǎo)熱絕緣層，所述導(dǎo)熱絕緣層上沉積有金屬層(6)，若干個(gè)所述LED裸芯片(1)正裝在各所述金屬層(6)上并通過所述金屬層(6)相連接組成電路，所述金屬層(6)引出陽極接點(diǎn)(80)和陰極接點(diǎn)(81)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的高導(dǎo)通電壓正裝LED集成芯片，其特征在于：所述硅襯底(2)的正面向內(nèi)擴(kuò)散有一層N+擴(kuò)散層(3)。

3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高導(dǎo)通電壓正裝LED集成芯片，其特征在于：所述LED裸芯片(1)為單電極芯片，所述襯底(10)為砷化鎵或碳化硅襯底，所述襯底(10)用銀漿或錫粘合在所述金屬層(6)上，所述LED裸芯片(1)的電極接點(diǎn)通過金屬線(41)焊接在相鄰的一個(gè)所述金屬層(6)上。

4、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高導(dǎo)通電壓正裝LED集成芯片，其特征在于：所述LED裸芯片(1)為雙電極芯片，所述襯底(10)為氧化鋁襯底，所述襯底(10)用銀漿或錫粘合在所述金屬層(6)上，所述P型外延層(12)、所述N型外延層(11)分別通過金屬線(43、45)焊接在相鄰的兩個(gè)所述金屬層(6)上。

5、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高導(dǎo)通電壓正裝LED集成芯片，其特征在于：所述硅襯底(2)的背面還設(shè)有由一層或多層金屬構(gòu)成的散熱層(7)。

6、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高導(dǎo)通電壓正裝LED集成芯片，其特征在于：所述導(dǎo)熱絕緣層由二氧化硅層或氮化硅層或氮化硅層與二氧化硅層組合構(gòu)成。

7、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高導(dǎo)通電壓正裝LED集成芯片，其特征在于：所述金屬層(6)的外表面為反光面，所述硅襯底(2)為P型或N型，所述金屬層(6)為鋁或銅或硅鋁合金，若干個(gè)所述LED裸芯片(1)之間串聯(lián)或并聯(lián)或串并聯(lián)組合連接。